[發明專利]爐管工藝的派工優化方法有效
| 申請號: | 202011486070.4 | 申請日: | 2020-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN112614795B | 公開(公告)日: | 2023-08-18 |
| 發明(設計)人: | 王帝;陳旭;魏崢穎 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 201315*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 爐管 工藝 優化 方法 | ||
1.一種爐管工藝的派工優化方法,用于對多個晶圓在進行爐管工藝時的派工方法進行優化,其特征在于,包括:
對所有晶圓按照機臺允許存放的位置的不同進行分組;
采集和預測晶圓到達爐管站點的時間,參照晶圓生產等級,以先進先出的原則確定晶圓的派工順序;
根據晶圓的分組信息,生成第一批次晶圓內的所有晶圓的派工方案,所有派工方案形成方案池;
根據派工順序依次生成每一批次晶圓的方案池,每一批次晶圓的方案池都基于上一批次的方案池所生成,當某一批次晶圓具有兩種或兩種以上相同的派工方案時,對相同的派工方案進行比較,保留優勢派工方案,淘汰劣勢派工方案,被淘汰的派工方案不能參與下一批次晶圓的方案池的形成;
對所有批次晶圓進行方案池生成和派工方案淘汰,最后保留一個派工方案;保留優勢派工方案,淘汰劣勢派工方案的方法包括:對每個派工方案的價值賦分,淘汰分數低的派工方案,對所述派工方案的價值賦分的項目包括:所述派工方案在單位時間內的產能;機臺相鄰位置是否放置同一工單的晶圓;高等級晶圓是否優先派。
2.如權利要求1所述的爐管工藝的派工優化方法,其特征在于,對所有晶圓按照機臺允許存放的位置的不同進行分組的方法包括:
獲取不同產品的晶圓在爐管站點的允許存放的位置;
按照允許存放的位置依次對工單內的晶圓進行標記;
將工單內標記一致的晶圓分為同一組。
3.如權利要求2所述的爐管工藝的派工優化方法,其特征在于,按照允許存放的位置依次對工單內的晶圓進行標記的方法包括:若能存放在機臺某一位置的格子內,則標記為1,若不能存放在機臺某一位置的格子內,則標記為0;依次判斷完所有晶圓,以得到完整標記。
4.如權利要求3所述的爐管工藝的派工優化方法,其特征在于,每一個位置的格子最多能夠放12片或13片晶圓。
5.如權利要求1所述的爐管工藝的派工優化方法,其特征在于,采集和預測晶圓到達爐管站點的時間,在考慮晶圓生產等級的基礎上,以先進先出的原則確定組內晶圓的派工順序的方法包括:
以爐管站點當站和爐管站點前幾個站點的晶圓信息為基礎,獲取晶圓到達爐管站點時間;
考慮晶圓生產等級,以先進先出的原則確定派工順序。
6.如權利要求5所述的爐管工藝的派工優化方法,其特征在于,以爐管站點當站和爐管站點前幾個站點的晶圓信息為基礎,獲取晶圓到達爐管站點時間的方法包括:
對于爐管站點前幾個站點的晶圓,依據歷史數據中同一產品的晶圓在各站點作業時間的統計值,以求和的方式估算出該晶圓到達爐管站點的時間。
7.如權利要求6所述的爐管工藝的派工優化方法,其特征在于,參照晶圓生產等級的方法包括,對于高生產等級的晶圓,放入高生產等級的序列,對于一般等級的晶圓,放入一般等級的隊列,所述高生產等級和所述一般等級均為發明人的設定的等級。
8.如權利要求1所述的爐管工藝的派工優化方法,其特征在于,根據晶圓的分組信息,生成第一批次晶圓內的所有晶圓的派工方案的方法包括:按照機臺位置順序挑選能用的晶圓,每個能用的晶圓組合成為一個派工方案,其中也包括機臺位置空置的方案。
9.如權利要求1所述的爐管工藝的派工優化方法,其特征在于,下一批次晶圓的方案池的形成是基于上一批次晶圓的方案池所生成,在下一批次晶圓的方案池生成過程中,下一批次晶圓的派工方案不能和上一批次晶圓的派工方案選擇同一片晶圓。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





