[發(fā)明專(zhuān)利]一種反熔絲單元可靠性測(cè)試方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011484729.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112614791B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉旸;杜海軍;吳會(huì)利;唐冬 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/66 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/66;H01L23/525 |
| 代理公司: | 沈陽(yáng)科苑專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 21002 | 代理人: | 王倩 |
| 地址: | 110032 遼*** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 反熔絲 單元 可靠性 測(cè)試 方法 | ||
1.一種反熔絲單元可靠性測(cè)試方法,其特征在于,在未對(duì)反熔絲單元編程前,通過(guò)對(duì)PAD點(diǎn)施加電壓,測(cè)量反熔絲單元輸出的電流,實(shí)現(xiàn)反熔絲單元的可靠性測(cè)試,具體包括以下步驟:
將一組反熔絲陣列作為測(cè)試樣管,分別將反熔絲陣列中的平行布線和垂直布線并聯(lián),每一個(gè)交點(diǎn)構(gòu)成一個(gè)反熔絲單元;
分別將并聯(lián)的平行布線和垂直布線引出,并連接至PAD窗口;
通過(guò)探針對(duì)PAD窗口施加電壓,使電壓施加在每個(gè)反熔絲單元上,讀取反熔絲陣列輸出電流;
若輸出電流小于電流閾值,則認(rèn)為該測(cè)試樣管可靠,反之則該測(cè)試樣管不可靠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種反熔絲單元可靠性測(cè)試方法,其特征在于,所述平行布線為m行,所述垂直布線為n行,構(gòu)成m*n個(gè)反熔絲單元并聯(lián)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種反熔絲單元可靠性測(cè)試方法,其特征在于,所述反熔絲單元由垂直布線所在的上極板和平行布線所在的下極板兩個(gè)導(dǎo)電層以及之間的絕緣層構(gòu)成,通電后電壓施加在兩個(gè)導(dǎo)電層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種反熔絲單元可靠性測(cè)試方法,其特征在于,所述測(cè)試樣管中垂直布線和平行布線的數(shù)量與實(shí)際使用的反熔絲陣列相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種反熔絲單元可靠性測(cè)試方法,其特征在于,若每個(gè)反熔絲單元的測(cè)試精度為A,則輸出電流閾值為A*m*n。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種反熔絲單元可靠性測(cè)試方法,其特征在于,所述該測(cè)試樣管不可靠為以下情況:?jiǎn)谓M反熔絲陣列施加電壓為反熔絲單元編程電壓一半時(shí),反熔絲陣列的漏電流大于電流閾值。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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