[發(fā)明專利]一種多頻帶的單刀雙擲開關(guān)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011484522.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112653439B | 公開(公告)日: | 2022-11-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 康凱;黃趾維;吳韻秋;趙晨曦;劉輝華;余益明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H03K17/687 | 分類號(hào): | H03K17/687 |
| 代理公司: | 電子科技大學(xué)專利中心 51203 | 代理人: | 甘茂 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 頻帶 單刀 開關(guān) | ||
本發(fā)明屬于無線通信技術(shù)領(lǐng)域,提供一種多頻帶的單刀雙擲開關(guān),用以克服傳統(tǒng)串并式開關(guān)結(jié)構(gòu)存在的芯片版圖面積大、插入損耗高等問題。本發(fā)明在傳統(tǒng)串并結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,將片上電感并聯(lián)在開關(guān)管所在支路上,片上電感與關(guān)斷的晶體管所產(chǎn)生的寄生電容形成諧振在不同頻段的并聯(lián)諧振腔,實(shí)現(xiàn)單刀雙擲開關(guān)功能的同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)工作頻段的多頻帶復(fù)用,不僅能夠覆蓋5G通信的所有頻帶,還能夠?qū)崿F(xiàn)工作頻段的自由切換;同時(shí),相較于傳統(tǒng)串并式開關(guān)結(jié)構(gòu),本發(fā)明中兩個(gè)通道間共用1個(gè)片上電感,大大減小片上電感的數(shù)量,顯著的減小芯片版圖面積、降低插入損耗。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于無線通信技術(shù)領(lǐng)域,涉及寬帶和多頻帶毫米波技術(shù),具體涉及一種多頻帶的單刀雙擲開關(guān)。
背景技術(shù)
隨著無線通信在我們?nèi)粘I钪械钠占埃瑢拵Ш投囝l帶毫米波技術(shù)的應(yīng)用吸引著越來越多的研究者的注意。在無線通信中,不同的通信標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了不同的使用頻段,寬帶和多頻帶系統(tǒng)可以使多個(gè)通信標(biāo)準(zhǔn)使用相同的硬件以降低成本。毫米波系統(tǒng)需求的不斷增長要求前端收發(fā)器模塊必須能夠以可承受的成本提供良好的RF性能和高集成度;通常,大多數(shù)具有單天線的射頻收發(fā)前端都使用單刀雙擲開關(guān)來切換發(fā)射和接收模式;射頻開關(guān)是整個(gè)射頻前端的關(guān)鍵模塊,它的插入損耗、隔離度以及線性度會(huì)影響射頻鏈路的整體性能。
為了實(shí)現(xiàn)寬帶毫米波的開關(guān)芯片,近年來已有了很多研究。最為常用的是帶有串聯(lián)電感作為匹配元件的串并式開關(guān)結(jié)構(gòu),如圖1(a)所示;該電路由四個(gè)晶體管及三個(gè)電感組成,其中晶體管M1與M3是串聯(lián)開關(guān)管,通過添加晶體管M2與M4來提升電路的隔離度;然而,隔離度提升的同時(shí)回波損耗與插入損耗增大了,導(dǎo)致開關(guān)電路的帶寬變窄,為了實(shí)現(xiàn)寬帶匹配效果,電感L1、L2、L3被添加在三個(gè)端口。假設(shè)控制電壓Vc為低電平,此時(shí)晶體管M1、M4關(guān)斷,等效為電容Coff;晶體管M2、M3導(dǎo)通,等效為一個(gè)小電阻Ron;此時(shí)的電路等效模型如圖1(b)所示,忽略電阻Ron_M1與電阻Ron_M2,則電容Coff_M1與Coff_M4并聯(lián)等效為電容C0;此時(shí)電感L1、電容C0、電感L2構(gòu)成一個(gè)L-C-L的T型匹配網(wǎng)絡(luò),通過該匹配網(wǎng)絡(luò),開關(guān)芯片可以實(shí)現(xiàn)較高的帶寬。但是,在開關(guān)芯片的三個(gè)端口片上電感的使用也會(huì)造成如下問題:
1)為了實(shí)現(xiàn)寬帶匹配,在開關(guān)芯片的三個(gè)端口同時(shí)添加片上電感,而電感是集成電路中占用面積最大的無源器件,三個(gè)電感大大增加了芯片的版圖面積,不利于成本控制;而且在射頻收發(fā)前段中,如果開關(guān)占用面積過大,不利于系統(tǒng)的整體布局;
2)標(biāo)準(zhǔn)硅基工藝與III-V族化合物工藝相比,無源器件的Q值更低,較多電感的使用會(huì)增大開關(guān)的插入損耗;對(duì)于射頻發(fā)射機(jī)而言,過大的插入損耗會(huì)降低輸出功率,影響效率;而對(duì)于接收機(jī)而言,過大的插入損耗會(huì)引入額外的噪聲,影響系統(tǒng)靈敏度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)上述現(xiàn)有帶有串聯(lián)電感的串并式單刀雙擲開關(guān)存在的諸多問題,提供一種新的多頻帶的單刀雙擲開關(guān)結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)在傳統(tǒng)串并結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,將一組由晶體管控制的雙圈八邊形片上電感并聯(lián)在開關(guān)管所在支路上,與關(guān)斷的晶體管所產(chǎn)生的寄生電容形成諧振在不同頻段的并聯(lián)諧振腔,從而實(shí)現(xiàn)了單刀雙擲開關(guān)的效果。本發(fā)明提出的結(jié)構(gòu),不僅可以覆蓋5G通信的所有頻帶,同時(shí)相比于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu),通過共用電感,芯片占用面積更小。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
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