[發明專利]一種多頻帶的單刀雙擲開關

有效

• 申請號: 202011484522.5
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN112653439B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 康凱;黃趾維;吳韻秋;趙晨曦;劉輝華;余益明
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 甘茂

1.一種多頻帶的單刀雙擲開關，包括：晶體管M1、晶體管M2、晶體管M3、晶體管M4，晶體管M5、晶體管M6及雙圈八邊形片上電感；其特征在于，所述晶體管M1的源極與晶體管M2的源極相連、并作為單刀雙擲開關的第三端口P3，晶體管M1的漏極與晶體管M3的漏極相連、并作為單刀雙擲開關的第一端口P1，晶體管M2的漏極與晶體管M4的漏極相連、并作為單刀雙擲開關的第二端口P2，晶體管M1與晶體管M4的柵極連接控制電壓V_c，晶體管M2與晶體管M3的柵極連接控制電壓晶體管M3與晶體管M4的漏極接地；所述雙圈八邊形片上電感兩端分別連接于晶體管M1和晶體管M2的漏極、由內圈八邊形片上電感與外圈八邊形片上電感并聯構成，所述內圈八邊形片上電感與外圈八邊形片上電感上分別設置有開口，內圈八邊形片上電感的開口端分別連接晶體管M5的源極和漏極，外圈八邊形片上電感的開口端分別連接晶體管M6的源極和漏極，晶體管M5和晶體管M6的柵極分別連接控制電壓V_SW1和V_SW2；晶體管M5的漏極通過內圈八邊形片上電感連接于晶體管M1的漏極，晶體管M5的源極通過內圈八邊形片上電感連接于晶體管M2的漏極；晶體管M6的漏極通過外圈八邊形片上電感連接于晶體管M1的漏極，晶體管M6的源極通過外圈八邊形片上電感連接于晶體管M2的漏極。

2.按權利要求1所述多頻帶的單刀雙擲開關，其特征在于，當所述控制電壓V_c為高電平、控制電壓為低電平時，單刀雙擲開關的第一端口P1到第三端口P3導通、第二端口P2到第三端口P3關斷；當控制電壓V_c為低電平、控制電壓為高電平時，單刀雙擲開關的第二端口P2到第三端口P3導通、第一端口P1到第三端口P3關斷。

3.按權利要求1所述多頻帶的單刀雙擲開關，其特征在于，當控制電壓V_SW1和V_SW2都為低電平時，單刀雙擲開關工作在低頻狀態；當控制電壓V_SW1為高電平、V_SW2為低電平時，單刀雙擲開關工作在中頻狀態；當控制電壓V_SW1和V_SW2都為高電平時，單刀雙擲開關工作在高頻狀態。

4.按權利要求1所述多頻帶的單刀雙擲開關，其特征在于，所述內圈八邊形片上電感與外圈八邊形片上電感上設置的開口均開設于電感的中點處。

5.按權利要求1所述多頻帶的單刀雙擲開關，其特征在于，所述晶體管M1～M4均采用交流浮柵浮體技術。