[發(fā)明專利]顯示裝置及其制造方法

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• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN113053952A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設計）人: 松枝洋二郎;河內玄士朗
• 申請（專利權）人: 天馬日本株式會社;武漢天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/00;G09F9/30
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華;何月華

本發(fā)明涉及顯示裝置及其制造方法。一種顯示裝置，包括：第一聚酰亞胺層；第一氧化硅層，位于第一聚酰亞胺層的上方并且與第一聚酰亞胺層直接接觸；非晶硅層，位于第一氧化硅層的上方并且與第一氧化硅層直接接觸；第二聚酰亞胺層，位于非晶硅層的上方并且與非晶硅層直接接觸；多個發(fā)光元件，位于第二聚酰亞胺層的上方；晶體管陣列，位于第二聚酰亞胺層的上方，晶體管陣列被配置為控制多個發(fā)光元件的發(fā)光；透明導電層，位于晶體管陣列與第二聚酰亞胺層之間；以及第二氧化硅層，位于透明導電層與第二聚酰亞胺層之間并且與透明導電層和第二聚酰亞胺層直接接觸。

技術領域

本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其制造方法。

背景技術

有機發(fā)光二極管(OLED)元件是電流驅動的自發(fā)光元件，因此不需要背光。除此之外，OLED元件具有實現(xiàn)低電力消耗、寬視角和高對比度的優(yōu)點。因為沒有背光，所以包括有機EL裝置的柔性OLED顯示裝置實現(xiàn)了超薄和柔性。

傳統(tǒng)的柔性OLED顯示裝置的基板具有這樣的結構，其中氧化硅層、氮化硅層和另一個氧化硅層依次層疊在厚度為10μm至15μm的聚酰亞胺膜上。在基板上制造薄膜晶體管(TFT)陣列。

發(fā)明內容

已經發(fā)現(xiàn)，與采用玻璃基板的OLED顯示裝置相比，采用聚酰亞胺膜作為基板的柔性OLED顯示裝置具有圖像殘留性(可逆重影圖像)強的缺點。

本發(fā)明的一個方面是一種顯示裝置，包括：第一聚酰亞胺層；第一氧化硅層，其位于第一聚酰亞胺層的上方并且與第一聚酰亞胺層直接接觸；非晶硅層，其位于第一氧化硅層的上方并且與第一氧化硅層直接接觸；第二聚酰亞胺層，其位于非晶硅層的上方并與非晶硅層直接接觸；多個發(fā)光元件，其位于第二聚酰亞胺層的上方；晶體管陣列，其位于第二聚酰亞胺層的上方，所述晶體管陣列被配置為控制多個發(fā)光元件的發(fā)光；透明導電層，其位于晶體管陣列與第二聚酰亞胺層之間；以及第二氧化硅層，其位于透明導電層與第二聚酰亞胺層之間并與透明導電層和第二聚酰亞胺層直接接觸。

本發(fā)明的另一方面是一種顯示裝置的制造方法，該方法包括：第一步驟：在第一聚酰亞胺層上直接形成第一氧化硅層；第二步驟：在第一氧化硅層上直接形成非晶硅層；第三步驟：在非晶硅層上直接形成第二聚酰亞胺層；第四步驟：在第二聚酰亞胺層上直接形成第二氧化硅層；第五步驟：在第二氧化硅層上直接形成透明導電層；以及第六步驟：在第二氧化硅層上形成晶體管陣列，該晶體管陣列用于控制多個發(fā)光元件的發(fā)光。

本發(fā)明的一方面實現(xiàn)了顯示裝置中的低圖像殘留性，在該顯示裝置中，要層疊的膜不會在制造工藝中彼此分離，或者耐彎曲性提高。

應當理解的是，前面的概述和下面的詳細描述都是示例性和說明性的，并不旨在限制本發(fā)明。

附圖說明

圖1示意性地示出了OLED顯示裝置的結構示例；

圖2A示出了像素電路的結構示例；

圖2B示出了像素電路的另一結構示例；

圖3提供了傳統(tǒng)的柔性基板上的TFT和玻璃基板上的TFT的特性比較評價的結果；

圖4示意性地示出了柔性基板、驅動TFT以及TFT基板的OLED元件和封裝結構單元的剖面結構；

圖5A和圖5B示出了在OLED顯示裝置的制造方法的示例中的背板的制造工藝；

圖6A示意地示出了比較例的OLED顯示裝置的剖面；以及

圖6B示意性地示出了包括本發(fā)明的實施方式的透明導電層的OLED顯示裝置的剖面。

具體實施方式

在下文中，將參考附圖描述本發(fā)明的實施方式。應當注意的是，實施方式僅是用于實現(xiàn)本發(fā)明的示例，并且不旨在限制本發(fā)明的技術范圍。附圖中相同的元件由相同的附圖標記表示，并且附圖中的每個元件可以在尺寸和/或形狀上放大以清楚地理解本說明書。