[發(fā)明專利]顯示裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011484486.2
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號(hào): CN113053952A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松枝洋二郎;河內(nèi)玄士朗
• 申請（專利權(quán)）人: 天馬日本株式會(huì)社;武漢天馬微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/00;G09F9/30
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華;何月華

1.一種顯示裝置，包括：

第一聚酰亞胺層；

第一氧化硅層，所述第一氧化硅層位于所述第一聚酰亞胺層的上方并且與所述第一聚酰亞胺層直接接觸；

非晶硅層，所述非晶硅層位于所述第一氧化硅層的上方并且與所述第一氧化硅層直接接觸；

第二聚酰亞胺層，所述第二聚酰亞胺層位于所述非晶硅層的上方并且與所述非晶硅層直接接觸；

多個(gè)發(fā)光元件，所述多個(gè)發(fā)光元件位于所述第二聚酰亞胺層的上方；

晶體管陣列，所述晶體管陣列位于所述第二聚酰亞胺層的上方，所述晶體管陣列被配置為控制所述多個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光；

透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層位于所述晶體管陣列與所述第二聚酰亞胺層之間；以及

第二氧化硅層，所述第二氧化硅層位于所述透明導(dǎo)電層與所述第二聚酰亞胺層之間并且與所述透明導(dǎo)電層和所述第二聚酰亞胺層直接接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二氧化硅層和所述透明導(dǎo)電層覆蓋所述第二聚酰亞胺層的整個(gè)表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述透明導(dǎo)電層是電浮動(dòng)的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述透明導(dǎo)電層是ITO層或IZO層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述透明導(dǎo)電層由非晶硅制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述透明導(dǎo)電層的厚度不小于且不大于

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，所述非晶硅層的厚度與所述透明導(dǎo)電層的厚度之和不大于

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述晶體管陣列包括頂柵多晶硅薄膜晶體管。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，

其中，所述透明導(dǎo)電層是IZO層，并且

其中，所述多個(gè)發(fā)光元件的陽極電極包括兩個(gè)IZO層以及位于所述兩個(gè)IZO層之間的反射金屬層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括：

所述晶體管陣列的多晶硅層；

第三氧化硅層，所述第三氧化硅層位于所述多晶硅層與所述透明導(dǎo)電層之間；

氮化硅層，所述氮化硅層位于所述多晶硅層與所述第三氧化硅層之間；以及

第四氧化硅層，所述第四氧化硅層位于所述多晶硅層與所述氮化硅層之間，所述第四氧化硅層與所述多晶硅層直接接觸。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二聚酰亞胺層比所述第一聚酰亞胺層薄。

12.一種顯示裝置的制造方法，所述方法包括：

第一步驟：在第一聚酰亞胺層上直接形成第一氧化硅層；

第二步驟：在所述第一氧化硅層上直接形成非晶硅層；

第三步驟：在所述非晶硅層上直接形成第二聚酰亞胺層；

第四步驟：在所述第二聚酰亞胺層上直接形成第二氧化硅層；

第五步驟：在所述第二氧化硅層上直接形成透明導(dǎo)電層；以及

第六步驟：在所述第二氧化硅層上形成晶體管陣列，所述晶體管陣列用于控制多個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第四步驟通過沉積氧化硅并且不對所述第二氧化硅層進(jìn)行圖案化來形成所述第二氧化硅層，并且

其中，所述第五步驟通過沉積透明導(dǎo)體并且不對所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化來形成所述透明導(dǎo)電層。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第六步驟包括：

用雜質(zhì)摻雜多晶硅層；以及

摻雜之后，在惰性氣體氣氛中加熱所述多晶硅層。