[發(fā)明專利]一種堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其封裝工藝及電子產(chǎn)品

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011483410.8
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN112701107A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐和明;曹周;黃源煒;鄭明祥
• 申請（專利權(quán)）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L25/16;H01L25/18;H01L21/768
• 代理公司: 北京澤方譽(yù)航專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11884
• 代理人: 唐明磊

1.一種堆疊封裝結(jié)構(gòu)，包括GaN芯片(100)以及控制芯片(200)，其特征在于，所述GaN芯片(100)非設(shè)置有電極的一側(cè)布置有電路圖形(140)，所述控制芯片(200)電連接于所述電路圖形(140)，所述電路圖形(140)通過貫穿所述GaN芯片(100)的導(dǎo)電金屬(180)與所述GaN芯片(100)的柵極(160)電連接、通過金屬導(dǎo)線(500)與用于固定所述GaN芯片(100)的引線框架(600)電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述GaN芯片(100)包括硅基材(110)以及GaN外延層(120)，所述GaN外延層(120)上形成有所述GaN芯片(100)的源極(150)、柵極(160)以及漏極(170)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅基材(110)遠(yuǎn)離所述GaN外延層(120)的一側(cè)設(shè)置有絕緣材料層(130)，所述電路圖形(140)成型于所述絕緣材料層(130)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述控制芯片(200)通過錫球(300)倒裝焊接在所述電路圖形(140)上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括封裝樹脂(400)，所述封裝樹脂(400)將所述控制芯片(200)、所述GaN芯片(100)以及用于電連接所述電路圖形(140)與所述引線框架(600)的金屬導(dǎo)線(500)封裝在內(nèi)部，所述引線框非設(shè)置有所述GaN芯片(100)的表面暴露在所述封裝樹脂(400)的外部。

6.一種堆疊封裝工藝，其特征在于，用于封裝權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的堆疊封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供GaN芯片(100)，采用硅材料作為基材(110)，在硅材料一側(cè)表面設(shè)置GaN外延層(120)形成GaN芯片(100)；

步驟2、設(shè)置絕緣層，在所述GaN芯片(100)非形成有電極的表面設(shè)置絕緣層；

步驟3、重布線，在所述絕緣層上采用導(dǎo)電金屬(180)材料布置電路圖形(140)；

步驟4、開孔，于所述GaN芯片(100)上加工盲孔，所述盲孔的兩端分別連接所述電路圖形(140)與所述GaN芯片(100)的柵極(160)；

步驟5、金屬填充，在所述盲孔中填充金屬材料以電連接所述電路圖形(140)與所述GaN芯片(100)的柵極(160)；

步驟6、焊接，將步驟5中金屬填充完成的GaN芯片(100)焊接到引線框架(600)上；

步驟7、打線，焊接金屬導(dǎo)線(500)以電連接所述電路圖形(140)與所述引線框架(600)；

步驟8、控制芯片焊接，將控制芯片(200)通過錫球(300)倒裝焊接到GaN背面；

步驟9、封裝，采用環(huán)氧樹脂材料對控制芯片(200)、GaN芯片(100)以及所述金屬導(dǎo)線(500)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的堆疊封裝工藝，其特征在于，所述開孔采用硅通孔技術(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的堆疊封裝工藝，其特征在于，所述金屬填充采用電鍍和/或金屬熔融的方式進(jìn)行。

10.一種電子產(chǎn)品，其特征在于，具有權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的堆疊封裝結(jié)構(gòu)。