[發(fā)明專利]成膜裝置、成膜方法及電子器件的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011483391.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113005397B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 石井博;柏倉(cāng)一史 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 佳能特機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;C23C14/50;H01L21/68;H01L21/683;H10K71/00 |
| 代理公司: | 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 劉楊 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 方法 電子器件 制造 | ||
本發(fā)明提供抑制由吸附于靜電卡盤(pán)時(shí)的靜電卡盤(pán)與基板的相對(duì)位置偏移導(dǎo)致的吸附力的降低的成膜裝置、成膜方法及電子器件的制造方法。成膜裝置使成膜材料隔著掩模在基板上成膜,包括:第1基板支承部,配置在腔室內(nèi),支承基板的第1邊的周緣部;第2基板支承部,配置在腔室內(nèi),支承與第1邊相向的第2邊的周緣部;基板吸附部件,配置在腔室內(nèi)的第1及第2基板支承部上方,用于吸附基板;位置調(diào)整部件,用于進(jìn)行基板吸附部件與基板間的對(duì)位;以及控制部,控制第1及第2基板支承部朝向基板吸附部件的升降。在控制部使第1及第2基板支承部中的至少一方朝向基板吸附部件上升后且在基板的吸附開(kāi)始前,位置調(diào)整部件進(jìn)行基板吸附部件與基板間的對(duì)位。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及成膜裝置、成膜方法及電子器件的制造方法。
背景技術(shù)
在有機(jī)EL顯示裝置(有機(jī)EL顯示器)的制造中,在形成構(gòu)成有機(jī)EL顯示裝置的有機(jī)發(fā)光元件(有機(jī)EL元件;OLED)時(shí),將從成膜裝置的蒸發(fā)源蒸發(fā)的蒸鍍材料隔著形成有像素圖案的掩模蒸鍍于基板,由此形成有機(jī)物層、金屬層。
在向上蒸鍍方式(沉積)的成膜裝置中,蒸發(fā)源設(shè)置于成膜裝置的真空容器的下部,基板配置于真空容器的上部,蒸鍍于基板的下表面。在這樣的向上蒸鍍方式的成膜裝置中,基板以不對(duì)形成于作為成膜面的下表面的有機(jī)物層/電極層造成損傷的方式利用基板保持架的支承部支承下表面的周緣。在該情況下,隨著基板的尺寸變大,未由基板保持架的支承部支承的基板的中央部由于基板的自重而撓曲,這成為降低蒸鍍精度的一個(gè)主要原因。在向上蒸鍍方式以外的方式的成膜裝置中,也存在產(chǎn)生由基板的自重引起的撓曲的可能性。
作為用于減少由基板的自重引起的撓曲的方法,正在研究使用靜電卡盤(pán)的技術(shù)。即,通過(guò)在基板的上部設(shè)置靜電卡盤(pán),使由基板保持架的支承部支承的基板的上表面吸附于靜電卡盤(pán),基板的中央部被靜電卡盤(pán)的靜電引力牽拉,能夠減少基板的撓曲。
但是,在這樣地使用靜電卡盤(pán)從上方吸附被基板支承部支承下方的基板時(shí),若靜電卡盤(pán)與基板的相對(duì)位置偏移,則吸附力有可能降低。
例如,在搬送機(jī)器人向成膜室內(nèi)搬送基板時(shí)產(chǎn)生搬送誤差的情況下,有可能因這樣的相對(duì)位置偏移而導(dǎo)致吸附力降低。另外,如圖6所示,為了抑制在吸附于靜電卡盤(pán)240時(shí)由基板S中央部的撓曲引起的褶皺的產(chǎn)生,正在研究使分別支承基板S的相向的兩側(cè)的周緣部的基板支承部220依次上升而使基板S與靜電卡盤(pán)240接觸的情況,但在該情況下,在先使一方的基板支承部上升時(shí),如白色箭頭所示,基板S向相反側(cè)偏移,存在與靜電卡盤(pán)240之間產(chǎn)生位置偏移的可能性。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明鑒于上述的課題,其目的在于,抑制由吸附于靜電卡盤(pán)時(shí)的靜電卡盤(pán)與基板的相對(duì)位置偏移導(dǎo)致的吸附力的降低。
用于解決課題的技術(shù)方案
本發(fā)明的一實(shí)施方式的成膜裝置,使成膜材料隔著掩模在基板上成膜,其特征在于,該成膜裝置包括:第1基板支承部,配置在腔室內(nèi),支承所述基板的第1邊的周緣部;第2基板支承部,配置在所述腔室內(nèi),支承與所述第1邊相向的第2邊的周緣部;基板吸附部件,配置在所述腔室內(nèi)的所述第1基板支承部和所述第2基板支承部的上方,用于吸附所述基板;位置調(diào)整部件,用于進(jìn)行所述基板吸附部件與所述基板之間的對(duì)位;以及控制部,控制所述第1基板支承部和所述第2基板支承部朝向所述基板吸附部件的升降,在所述控制部使所述第1基板支承部和所述第2基板支承部中的至少一方朝向所述基板吸附部件上升之后,且在所述基板的吸附開(kāi)始之前,所述位置調(diào)整部件進(jìn)行所述基板吸附部件與所述基板之間的對(duì)位。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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