[發明專利]成膜裝置、成膜方法及電子器件的制造方法有效
| 申請號: | 202011483391.9 | 申請日: | 2020-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN113005397B | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發明(設計)人: | 石井博;柏倉一史 | 申請(專利權)人: | 佳能特機株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;C23C14/50;H01L21/68;H01L21/683;H10K71/00 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 劉楊 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 方法 電子器件 制造 | ||
1.一種成膜裝置,使成膜材料隔著掩模在基板上成膜,其特征在于,
該成膜裝置包括:
第1基板支承部,配置在腔室內,支承所述基板的第1邊的周緣部;
第2基板支承部,配置在所述腔室內,支承與所述第1邊相向的第2邊的周緣部;
基板吸附部件,配置在所述腔室內的所述第1基板支承部和所述第2基板支承部的上方,用于吸附所述基板;
位置調整部件,用于進行所述基板吸附部件與所述基板之間的對位;以及
控制部,控制所述第1基板支承部和所述第2基板支承部朝向所述基板吸附部件的升降,
所述控制部控制所述第1基板支承部和所述第2基板支承部的升降,以使所述第1基板支承部朝向所述基板吸附部件上升,之后使所述第2基板支承部朝向所述基板吸附部件上升,
在所述基板的吸附開始之前,在所述第1基板支承部與所述基板吸附部件的距離小于所述第2基板支承部與所述基板吸附部件的距離的狀態下,所述位置調整部件進行所述基板吸附部件與所述基板之間的對位。
2.根據權利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,
所述控制部通過使所述第1基板支承部相對于所述第2基板支承部上升而成為所述狀態。
3.根據權利要求1或2所述的成膜裝置,其特征在于,
所述控制部進行控制,以在所述基板吸附部件與所述基板之間的對位之后,使所述第1基板支承部和所述第2基板支承部同時上升而使所述基板的所述第1邊的周緣部吸附于所述基板吸附部件。
4.根據權利要求3所述的成膜裝置,其特征在于,
所述控制部進行控制,以在使所述基板的所述第1邊的周緣部吸附于所述基板吸附部件之后,使所述第2基板支承部繼續上升而使所述基板的所述第2邊的周緣部吸附于所述基板吸附部件。
5.根據權利要求1或2所述的成膜裝置,其特征在于,
所述控制部進行控制,以在所述基板吸附部件與所述基板之間的對位之后,使所述第1基板支承部和所述第2基板支承部依次上升。
6.根據權利要求1或2所述的成膜裝置,其特征在于,
所述位置調整部件基于對分別設置于所述基板吸附部件和所述基板的對準標記進行拍攝而得到的結果,進行所述基板吸附部件與所述基板之間的對位。
7.根據權利要求1或2所述的成膜裝置,其特征在于,
所述基板吸附部件是靜電卡盤。
8.一種成膜方法,在成膜裝置的腔室內,使成膜材料隔著掩模在基板的成膜面上成膜,其特征在于,
該成膜方法包括:
利用第1基板支承部對搬入到腔室內的所述基板的第1邊的周緣部進行支承,并利用第2基板支承部對所述基板的與所述第1邊相向的第2邊的周緣部進行支承的工序;
吸附工序,使配置在所述腔室內的所述第1基板支承部和所述第2基板支承部的上方的基板吸附部件吸附所述基板的與所述成膜面相反側的面;
對位工序,進行所述基板吸附部件與所述基板之間的對位;以及
使成膜材料隔著所述掩模在所述基板的所述成膜面上成膜的工序,
所述吸附工序包括:第1上升工序,使所述第1基板支承部朝向所述基板吸附部件上升;以及第2上升工序,在所述第1上升工序開始后使所述第2基板支承部朝向所述基板吸附部件上升,
在所述基板的吸附開始之前,在所述第1基板支承部與所述基板吸附部件的距離小于所述第2基板支承部與所述基板吸附部件的距離的狀態下,進行所述對位工序。
9.根據權利要求8所述的成膜方法,其特征在于,
通過使所述第1基板支承部相對于所述第2基板支承部上升而成為所述狀態。
10.根據權利要求8所述的成膜方法,其特征在于,
所述吸附工序包括在所述對位工序之后使所述第1基板支承部和所述第2基板支承部同時上升而使所述基板的所述第1邊的周緣部吸附于所述基板吸附部件的工序。
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