[發明專利]晶圓缺陷掃描系統及掃描方法和計算機存儲介質

在審

• 申請號: 202011483296.9
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN112614790A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 李翠麗
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發明提供了一種晶圓缺陷掃描系統及掃描方法和計算機存儲介質，所述晶圓缺陷掃描方法包括：提供一待測晶圓，具有x顆待掃描的晶粒；提供一掃描機臺，設置有所述掃描機臺能夠記錄的缺陷數量的上限y個；以及，對所述待測晶圓上的晶粒進行第一次掃描，若掃描到的缺陷數量達到所述上限y個時，已掃描的所述晶粒的數量小于x顆，則對x顆所述晶粒重新執行第二次掃描；其中，在所述第二次掃描的過程中，每當掃描到的缺陷數量達到所述上限y個時，對掃描到的缺陷數量進行取樣記錄，直至已掃描的晶粒的數量達到x顆時，所有次的取樣記錄的數量之和不超過所述上限y個。本發明提供的技術方案提高了整片晶圓的缺陷掃描的速度，提高了機臺產能。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種晶圓缺陷掃描系統及掃描方法和計算機存儲介質。

背景技術

隨著集成電路行業的飛速發展，半導體器件的尺寸越來越小，生產工藝越來越復雜，為了對各個工藝站點的生產情況進行監控，需要在一些工藝站點之后對晶圓上的缺陷進行掃描。但是，隨著生產工藝的復雜性的提高，晶圓上的缺陷越來越多，缺陷掃描的難度也越來越高。

缺陷掃描時經常遇到掃幾行甚至掃一行，晶圓缺陷的數量就達到機臺設置的極限爆掉的情況，這種情況下，會自動停止掃描，晶圓自動退出，然后傳出一張未掃描完的缺陷掃描圖，如圖1所示，僅掃描到晶圓11上的部分區域上的缺陷12即達到機臺上限，晶圓11上還有大部分區域未被掃描，導致無法判斷整片晶圓的缺陷分布狀況。現有的方法是修改取樣計劃，當掃描到的晶圓的缺陷的數量達到機臺設置的極限時，在取樣計劃里把掃過的部分(即圖1中掃描到缺陷12所在的區域)框掉不掃，然后重新命名一個新的掃描程式，再進行二次掃描，如果再出現掃爆的情況，就重復此動作，直到把整片晶圓掃完為止；然后把該晶圓在掃描程式條件下掃過的所有缺陷圖拼在一起，就可以得到整片晶圓上的缺陷分布情況。但是，此方法會多次停止掃描以及多次設置新的掃描程式，耗時耗力，占用大量的機臺生產時間，影響機臺產能。

因此，如何提高整片晶圓的缺陷掃描的速度，以提高機臺產能是目前亟需解決的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種晶圓缺陷掃描系統及掃描方法和計算機存儲介質，以提高整片晶圓的缺陷掃描的速度，進而提高機臺產能。

為實現上述目的，本發明提供了一種晶圓缺陷掃描方法，包括：

提供一待測晶圓，具有x顆待掃描的晶粒；

提供一掃描機臺，設置有所述掃描機臺能夠記錄的缺陷數量的上限y個；以及，

對所述待測晶圓上的晶粒進行第一次掃描，若掃描到的缺陷數量未超過所述上限y個時，已掃描的所述晶粒的數量達到x顆，則掃描完成；若掃描到的缺陷數量達到所述上限y個時，已掃描的所述晶粒的數量小于x顆，則對x顆所述晶粒重新執行第二次掃描；其中，在所述第二次掃描的過程中，每當掃描到的缺陷數量達到所述上限y個時，對掃描到的缺陷數量進行取樣記錄，每次所述取樣記錄的數量小于所述上限y個，直至已掃描的所述晶粒的數量達到x顆時，所有次的所述取樣記錄的數量之和不超過所述上限y個。

可選的，在所述第一次掃描中，若已掃描的所述晶粒的數量達到x顆，則所述待測晶圓從所述掃描機臺中退出，并傳出第一次掃描的缺陷圖；在所述第一次掃描中，若已掃描的所述晶粒的數量小于x顆，則所述待測晶圓未從所述掃描機臺中退出，僅傳出第一次掃描的缺陷圖。

可選的，在所述第二次掃描中，若已掃描的所述晶粒的數量達到x顆，則所述待測晶圓從所述掃描機臺中退出，并傳出第二次掃描的缺陷圖，所述第二次掃描的缺陷圖上的缺陷數量不超過所述上限y個。

可選的，在所述第二次掃描中，每次取樣記錄的數量為：每次取樣記錄之前的當次掃描的所述晶粒的數量除以當次掃描之前的未掃描的所述晶粒的數量再乘以所述掃描機臺能夠記錄的所述上限y中剩余的缺陷數量。