[發(fā)明專利]晶圓缺陷掃描系統(tǒng)及掃描方法和計算機存儲介質(zhì)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011483296.9 | 申請日: | 2020-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN112614790A | 公開(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李翠麗 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 201315*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 缺陷 掃描 系統(tǒng) 方法 計算機 存儲 介質(zhì) | ||
1.一種晶圓缺陷掃描方法,其特征在于,包括:
提供一待測晶圓,具有x顆待掃描的晶粒;
提供一掃描機臺,設(shè)置有所述掃描機臺能夠記錄的缺陷數(shù)量的上限y個;以及,
對所述待測晶圓上的晶粒進行第一次掃描,若掃描到的缺陷數(shù)量未超過所述上限y個時,已掃描的所述晶粒的數(shù)量達到x顆,則掃描完成;若掃描到的缺陷數(shù)量達到所述上限y個時,已掃描的所述晶粒的數(shù)量小于x顆,則對x顆所述晶粒重新執(zhí)行第二次掃描;其中,在所述第二次掃描的過程中,每當(dāng)掃描到的缺陷數(shù)量達到所述上限y個時,對掃描到的缺陷數(shù)量進行取樣記錄,每次所述取樣記錄的數(shù)量小于所述上限y個,直至已掃描的所述晶粒的數(shù)量達到x顆時,所有次的所述取樣記錄的數(shù)量之和不超過所述上限y個。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷掃描方法,其特征在于,在所述第一次掃描中,若已掃描的所述晶粒的數(shù)量達到x顆,則所述待測晶圓從所述掃描機臺中退出,并傳出第一次掃描的缺陷圖;在所述第一次掃描中,若已掃描的所述晶粒的數(shù)量小于x顆,則所述待測晶圓未從所述掃描機臺中退出,僅傳出第一次掃描的缺陷圖。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷掃描方法,其特征在于,在所述第二次掃描中,若已掃描的所述晶粒的數(shù)量達到x顆,則所述待測晶圓從所述掃描機臺中退出,并傳出第二次掃描的缺陷圖,所述第二次掃描的缺陷圖上的缺陷數(shù)量不超過所述上限y個。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷掃描方法,其特征在于,在所述第二次掃描中,每次取樣記錄的數(shù)量為:每次取樣記錄之前的當(dāng)次掃描的所述晶粒的數(shù)量除以當(dāng)次掃描之前的未掃描的所述晶粒的數(shù)量再乘以所述掃描機臺能夠記錄的所述上限y中剩余的缺陷數(shù)量。
5.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷掃描方法,其特征在于,每次進行所述取樣記錄時,將每次取樣記錄之前的當(dāng)次掃描到的缺陷數(shù)量根據(jù)缺陷密度按照相同的比例取樣。
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷掃描方法,其特征在于,所述待測晶圓上的缺陷數(shù)量的估計值為(x/x1)*y,其中,x1為在所述第一次掃描時,掃描到的缺陷數(shù)量達到所述上限y個時已掃描的所述晶粒的數(shù)量。
7.一種計算機存儲介質(zhì),其上存儲有計算機程序,其特征在于,所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)權(quán)利要求1至6中任一項所述的晶圓缺陷掃描方法。
8.一種晶圓缺陷掃描系統(tǒng),其特征在于,包括:
掃描機臺,用于設(shè)置所述掃描機臺能夠記錄的缺陷數(shù)量的上限y個;
掃描單元,用于掃描一待測晶圓上的缺陷,所述待測晶圓具有x顆待掃描的晶粒;
判斷單元,用于判斷掃描到的缺陷數(shù)量是否達到所述上限y個;
取樣記錄單元,用于在掃描到的缺陷數(shù)量達到所述上限y個時,對掃描到的缺陷數(shù)量進行取樣記錄;
其中,在所述掃描單元用于對所述待測晶圓上的晶粒進行第一次掃描時,若所述判斷單元判斷掃描到的缺陷數(shù)量小于所述上限y個,且已掃描的所述晶粒的數(shù)量達到x顆,則掃描完成;若所述判斷單元判斷掃描到的缺陷數(shù)量達到所述上限y個,且已掃描的所述晶粒的數(shù)量小于x顆時,則所述掃描單元用于對x顆所述晶粒重新執(zhí)行第二次掃描;其中,在所述第二次掃描的過程中,每當(dāng)所述判斷單元判斷掃描到的缺陷數(shù)量達到所述上限y個時,所述取樣記錄單元用于對掃描到的缺陷數(shù)量進行取樣記錄,每次所述取樣記錄的數(shù)量小于所述上限y個,直至已掃描的所述晶粒的數(shù)量達到x顆時,所有次的所述取樣記錄的數(shù)量之和不超過所述上限y個。
9.如權(quán)利要求8所述的晶圓缺陷掃描系統(tǒng),其特征在于,還包括缺陷圖生成單元,用于在所述第一次掃描之后傳出第一次掃描的缺陷圖以及在所述第二次掃描之后傳出第二次掃描的缺陷圖,所述第二次掃描的缺陷圖上的缺陷數(shù)量不超過所述上限y個。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





