[發明專利]存儲器的制作方法

在審

• 申請號: 202011483092.5
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN112614845A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 毛曉明;李兆松;劉沙沙;李思晢;魏健藍;高晶
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11556
• 分類號: H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11582;H01L27/1157
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 梁文惠

1.一種存儲器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底，所述襯底上具有雙堆疊結構，所述雙堆疊結構中具有貫穿至所述襯底的多個溝道孔陣列，各所述溝道孔陣列包括多排沿第一方向分布的溝道孔；

位于所述溝道孔陣列中部的任意一排所述溝道孔作為待刻蝕溝道孔列，減薄所述待刻蝕溝道孔列中間隔各所述溝道孔的所述雙堆疊結構，形成頂部選擇柵開口；

在所述溝道孔中形成溝道結構，并在所述頂部選擇柵開口中形成頂部選擇柵切線。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述溝道孔陣列包括N排所述溝道孔，當所述N為奇數時，所述待刻蝕溝道孔列為第/2排所述溝道孔；

當所述N為偶數時，所述待刻蝕溝道孔列為第N/2排或第N/2+1排所述溝道孔。

3.根據權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括在所述襯底上形成具有所述溝道孔陣列的所述雙堆疊結構的步驟：

在所述襯底上形成第一堆疊結構，形成貫穿所述第一堆疊結構至所述襯底的下溝道通孔陣列，所述下溝道通孔陣列包括多排沿第一方向分布的第一溝道通孔，在各所述第一溝道通孔中形成填充層；

在所述第一堆疊結構上形成第二堆疊結構，形成貫穿所述第二堆疊結構至所述填充層的上溝道通孔陣列，所述上溝道通孔陣列包括與所述第一溝道通孔一一對應的第二溝道通孔，

在形成所述溝道結構和所述頂部選擇柵切線的步驟之前，所述制作方法還包括以下步驟：

去除所述填充層，以將所述第一溝道通孔與所述第二溝道通孔一一連通形成所述溝道孔。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，形成所述頂部選擇柵開口的步驟包括：

在所述第二堆疊結構上覆蓋光刻膠，部分所述光刻膠填充于所述第二溝道通孔中；

圖形化所述光刻膠；

以剩余的所述光刻膠為掩膜對所述第二堆疊結構進行刻蝕，形成所述頂部選擇柵開口，并去除剩余的所述光刻膠。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，圖形化所述光刻膠的步驟包括：

去除位于所述待刻蝕溝道孔列中及其上方的所述光刻膠，以及去除所述待刻蝕溝道孔列中相鄰的所述第二溝道通孔之間的所述第二堆疊結構上的所述光刻膠。

6.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，

所述第一堆疊結構包括沿遠離所述襯底的方向交替層疊的第一犧牲層和第一隔離層；

所述第二堆疊結構包括沿遠離所述襯底的方向交替層疊的第二犧牲層和第二隔離層。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，在形成所述溝道結構和所述頂部選擇柵切線的步驟之后，所述制作方法還包括以下步驟：

形成貫穿所述雙堆疊結構至所述襯底的柵極隔槽；

置換所述第一犧牲層和所述第二犧牲層為柵極層；

在所述柵極隔槽中形成共源極，以使所述共源極與所述柵極接觸。

8.根據權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，形成所述溝道結構的步驟包括：

在所述溝道孔的側壁上順序形成柵電介質層和溝道層，所述柵電介質層位于所述溝道層和所述雙堆疊結構之間。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述溝道結構的步驟還包括：

在所述溝道孔中填充介電材料，以形成被所述溝道層包裹的介電填充層。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，在形成所述頂部選擇柵切線的步驟中，同時向所述溝道孔和所述頂部選擇柵開口中填充介電材料，以在所述溝道孔中形成被所述溝道層包裹的所述介電填充層，并在所述選擇柵開口中形成所述頂部選擇柵切線。