[發(fā)明專利]蝕刻方法和蝕刻裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011483012.6
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN113053745A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 須田隆太郎;戶村幕樹
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/67;H01J37/305;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

本發(fā)明提供一種蝕刻方法和蝕刻裝置。蝕刻方法包括提供的步驟、設(shè)定的步驟和蝕刻的步驟。提供的步驟將基片提供到載置臺上，該基片具有包含硅氧化物膜的被蝕刻膜和形成在被蝕刻膜之上的掩模。設(shè)定的步驟，將載置臺的溫度設(shè)定為0℃以下的溫度的步驟。蝕刻的步驟，從氣體生成等離子體，隔著掩模來蝕刻硅氧化物膜，該氣體包含氟、氮和碳，且氟的數(shù)量相對于氮的數(shù)量的比率F/N為0.5～10的范圍。根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制CD(Critical Dimension：關(guān)鍵尺寸)的擴(kuò)大并且提高蝕刻速率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及蝕刻方法和蝕刻裝置。

背景技術(shù)

存在一種對形成于被處理體上的氧化硅膜、或氧化硅膜和氮化硅膜交替地層疊而成的多層膜形成深孔的技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2016-39310號公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

本發(fā)明提供能夠抑制CD(Critical Dimension：關(guān)鍵尺寸)的擴(kuò)大并且提高蝕刻速率的蝕刻方法和蝕刻裝置。

用于解決問題的技術(shù)手段

本發(fā)明的一方式的蝕刻方法包括提供的步驟、設(shè)定的步驟和蝕刻的步驟。提供的步驟將基片提供到載置臺上，該基片具有包含硅氧化物膜的被蝕刻膜和形成在被蝕刻膜之上的掩模。設(shè)定的步驟，將載置臺的溫度設(shè)定為0℃以下的溫度的步驟。蝕刻的步驟，從氣體生成等離子體，隔著掩模來蝕刻硅氧化物膜，該氣體包含氟、氮和碳，且氟的數(shù)量相對于氮的數(shù)量的比率F/N為0.5～10的范圍。

發(fā)明效果

依照本發(fā)明，能夠抑制CD的擴(kuò)大并且提高蝕刻速率。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式中的等離子體處理系統(tǒng)的一個(gè)例子的圖。

圖2是表示由本實(shí)施方式的蝕刻裝置蝕刻的基片的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的圖。

圖3是表示本實(shí)施方式中的蝕刻處理的一個(gè)例子的流程圖。

圖4是示意性地說明本實(shí)施方式中的蝕刻的原理的一個(gè)例子的圖。

圖5是表示實(shí)驗(yàn)結(jié)果中的蝕刻速率的變化的曲線圖。

圖6是表示實(shí)驗(yàn)結(jié)果中的CD的變化的曲線圖。

圖7是表示改變了HF/N₂氣體的流量比的情況的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的一個(gè)例子的圖。

圖8是表示圖7的實(shí)驗(yàn)結(jié)果中的蝕刻速率的變化的曲線圖。

圖9是表示圖7的實(shí)驗(yàn)結(jié)果中的CD的變化的曲線圖。

圖10是表示實(shí)驗(yàn)結(jié)果中的溫度依賴性的曲線圖。

附圖標(biāo)記說明

1 等離子體處理系統(tǒng)

1a 等離子體處理裝置

1b 控制部

10 反應(yīng)腔室

11 支承部

20 氣體供給部

30 RF電功率供給部

40 排氣系統(tǒng)

102 硅氧化物膜

103 掩模

W 基片

具體實(shí)施方式