[發(fā)明專利]蝕刻方法和蝕刻裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011483012.6
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN113053745A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 須田隆太郎;戶村幕樹
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/67;H01J37/305;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

1.一種蝕刻方法，其特征在于，包括：

將基片提供到載置臺上的步驟，其中，所述基片具有包含硅氧化物膜的被蝕刻膜和形成在所述被蝕刻膜之上的掩模；

將所述載置臺的溫度設(shè)定為0℃以下的溫度的步驟；和

從氣體生成等離子體，隔著所述掩模來蝕刻所述硅氧化物膜的步驟，其中，所述氣體包含氟、氮和碳，且所述氟的數(shù)量相對于所述氮的數(shù)量的比率F/N為0.5～10的范圍。

2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述掩模為含碳掩模。

3.如權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述氣體還包含含氫氣體。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述氣體包含含碳?xì)怏w。

5.如權(quán)利要求2所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述氣體包含含HF和N₂的氣體。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述設(shè)定的步驟進(jìn)行設(shè)定以使得所述基片成為﹣30℃以下的溫度。

7.如權(quán)利要求1～6中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述被蝕刻膜為還包含硅氮化物膜的層疊膜。

8.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述氣體包含含氰化物的氣體。

9.如權(quán)利要求1～8中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述蝕刻的步驟進(jìn)行蝕刻以使得所述硅氧化物膜的最終深寬比為5以上。

10.一種蝕刻硅氧化物膜的裝置，其特征在于，包括：

反應(yīng)腔室；

設(shè)置于所述反應(yīng)腔室內(nèi)的載置臺；

在所述反應(yīng)腔室內(nèi)生成等離子體的等離子體生成部；和

控制部，

所述控制部構(gòu)成為能夠控制所述裝置，以將基片提供到所述載置臺上，其中，所述基片具有包含硅氧化物膜的被蝕刻膜和形成在所述被蝕刻膜之上的掩模，

所述控制部構(gòu)成為能夠控制所述裝置，以將所述載置臺的溫度設(shè)定為0℃以下的溫度，

所述控制部構(gòu)成為能夠控制所述裝置，使得從氣體生成等離子體，隔著所述掩模來蝕刻所述硅氧化物膜，其中，所述氣體包含氟、氮和碳，且所述氟相對于所述氮的比率F/N為0.5～10的范圍。