[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011482440.7
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN112510017A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳幫;黃宇恒
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括鍵合設(shè)置的至少兩個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述至少兩個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)至少包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；

第一標(biāo)記，所述第一標(biāo)記設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中；

第二標(biāo)記，所述第二標(biāo)記設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述第二標(biāo)記在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的投影與所述第一標(biāo)記至少部分重疊；

阻擋結(jié)構(gòu)，所述阻擋結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記之間，以用于在所述第一標(biāo)記被讀取時(shí)，防止所述第二標(biāo)記干擾所述第一標(biāo)記的讀取。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述阻擋結(jié)構(gòu)在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的投影，至少與所述第二標(biāo)記在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的投影和所述第一標(biāo)記重疊的部分重疊。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二標(biāo)記在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的投影，位于所述阻擋結(jié)構(gòu)在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的投影內(nèi)。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述阻擋結(jié)構(gòu)在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的投影，以及所述第二標(biāo)記在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的投影，均與所述第一標(biāo)記重疊。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二標(biāo)記在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的投影和所述第一標(biāo)記，均位于所述阻擋結(jié)構(gòu)在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的投影內(nèi)。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述阻擋結(jié)構(gòu)的最大寬度比所述第一標(biāo)記和/或所述第二標(biāo)記的最大寬度大0.1um～10um。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，形成所述阻擋結(jié)構(gòu)的材料為金屬或多晶硅。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一標(biāo)記和所述阻擋結(jié)構(gòu)的形狀相同，和/或所述第二標(biāo)記和所述阻擋結(jié)構(gòu)的形狀相同。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述阻擋結(jié)構(gòu)的形狀為圓形、方形、三角形、十字形或包括多個(gè)由間隙分開的平行線。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述阻擋結(jié)構(gòu)位于所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)內(nèi)；或者，

所述半導(dǎo)體器件包括至少一個(gè)第三半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述第三半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)位于所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間，所述阻擋結(jié)構(gòu)位于所述至少一個(gè)第三半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)其中之一的所述第三半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中。