[發明專利]半導體存儲器器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202011481686.2
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN113410225A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 金孝燮;樸素賢;金大元;金桐;金恩娥;樸哲權;樸臺鎮;李基碩;韓成熙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/108;H01L43/08;H01L45/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種半導體存儲器器件，包括：

第一雜質區域和第二雜質區域，設置在襯底中且彼此間隔開，所述第二雜質區域的頂表面比所述第一雜質區域的頂表面高；

器件隔離圖案，介于所述第一雜質區域與所述第二雜質區域之間；

第一接觸塞，與所述第一雜質區域接觸，并且具有比所述第二雜質區域的頂表面低的底表面；

間隙填充絕緣圖案，介于所述第一接觸塞與所述第二雜質區域之間；

第一保護間隔物，介于所述間隙填充絕緣圖案與所述第二雜質區域之間；以及

第一間隔物，與所述第一接觸塞的側表面和所述器件隔離圖案接觸，并且介于所述第一保護間隔物與所述間隙填充絕緣圖案之間。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器器件，

其中，所述第一保護間隔物具有“L”或“J”形截面。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器器件，

其中，所述器件隔離圖案的一部分介于所述第一保護間隔物與所述第二雜質區域之間。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器器件，還包括：

第一導線，與所述第一接觸塞接觸并在第一方向上跨越所述襯底；

第二導線，在所述襯底中在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸并與所述第一雜質區域相鄰；以及

封蓋圖案，與所述第二導線接觸并介于所述第二導線與所述第一導線之間，

其中，所述第一接觸塞的底表面低于所述封蓋圖案的頂表面，以及

其中，所述第一保護間隔物包括第一部分，所述第一部分介于所述封蓋圖案的上側表面與所述第一接觸塞的側表面之間。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲器器件，還包括：

多晶硅間隔物，介于所述第一保護間隔物與所述第一接觸塞之間，

其中，所述多晶硅間隔物包括與所述第一接觸塞相同的材料。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲器器件，還包括：

第一緩沖層，介于所述封蓋圖案與所述第一導線之間，

其中，所述第一緩沖層的側表面與相鄰的所述覆蓋圖案的上側表面不對準。

7.根據權利要求6所述的半導體存儲器器件，還包括：

第二緩沖層，介于所述第一緩沖層與所述第一導線之間，

其中，所述第一保護間隔物還包括第二部分，所述第二部分介于所述第一接觸塞的側表面與所述第一緩沖層的側表面之間以及所述第一接觸塞的側表面與所述第二緩沖層的側表面之間。

8.根據權利要求7所述的半導體存儲器器件，

其中，所述第二緩沖層的側表面朝向所述第一接觸塞延伸超過所述第一緩沖層的側表面，

其中，所述第一保護間隔物還包括突出部分，所述突出部分介于所述封蓋圖案的頂表面與所述第二緩沖層的底表面之間，以及

其中，所述第一保護間隔物的突出部分與所述第一緩沖層的側表面接觸。

9.根據權利要求8所述的半導體存儲器器件，還包括：

第三緩沖層，介于所述第二緩沖層與所述第一導線之間，

其中，所述第一緩沖層至所述第三緩沖層包括彼此不同的材料。

10.根據權利要求9所述的半導體存儲器器件，

其中，所述第一保護間隔物與所述第一緩沖層的側表面、所述第二緩沖層的側表面和所述第三緩沖層的側表面接觸。