[發(fā)明專利]一種太陽能電池及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011479354.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112599617A | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 童洪波;徐新星;顏翼飛;李華;靳玉鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0236 | 分類號(hào): | H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京知迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11628 | 代理人: | 付珍;王勝利 |
| 地址: | 225300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽能電池 及其 制作方法 | ||
本發(fā)明公開一種太陽能電池及其制作方法,涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域,可以較好的去除擬進(jìn)行重?fù)诫s的硅基底表面的雜質(zhì)。該太陽能電池的制作方法包括:提供一硅基底,該硅基底的第一面具有第一摻雜層以及位于第一摻雜層上的第一氧化層,第一氧化層具有貫穿第一氧化層的凹槽,第一摻雜層的第一區(qū)域裸露于凹槽的內(nèi)部;利用氧化性溶液和氫氟酸對(duì)凹槽進(jìn)行清洗以形成凹槽內(nèi)疏水狀態(tài);在第一氧化層的掩模下,在第一區(qū)域形成第二摻雜層,第二摻雜層的摻雜濃度大于第一摻雜層的摻雜濃度。本發(fā)明提供的太陽能電池及其制作方法用于太陽能電池制造。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種太陽能電池及其制作方法。
背景技術(shù)
選擇性發(fā)射極太陽能電池是一種在硅片上的擴(kuò)散層與金屬電極的接觸部位進(jìn)行重?fù)诫s,在擴(kuò)散層的其他區(qū)域進(jìn)行輕摻雜的太陽能電池。這種結(jié)構(gòu)不僅可以降低硅片的擴(kuò)散層復(fù)合,而且可以減少金屬電極與硅片的接觸電阻。
在制作選擇性發(fā)射極太陽能電池時(shí),需要進(jìn)行一次輕摻雜處理和一次重?fù)诫s處理。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種太陽能電池及其制作方法,可以較好的去除擬進(jìn)行重?fù)诫s的硅基底表面的雜質(zhì)。
第一方面,本發(fā)明提供一種太陽能電池的制作方法。該太陽能電池的制作方法包括:
提供一硅基底。硅基底的第一面具有第一摻雜層以及位于第一摻雜層上的第一氧化層,第一氧化層具有貫穿第一氧化層的凹槽,第一摻雜層的第一區(qū)域裸露于凹槽的內(nèi)部。
利用氧化性溶液和氫氟酸對(duì)凹槽進(jìn)行清洗以形成凹槽內(nèi)疏水狀態(tài)。
在第一氧化層的掩模下,在第一區(qū)域形成第二摻雜層,第二摻雜層的摻雜濃度大于第一摻雜層的摻雜濃度。
采用上述技術(shù)方案時(shí),對(duì)第一區(qū)域進(jìn)行摻雜處理形成第二摻雜層之前,利用氧化性溶液和氫氟酸對(duì)凹槽進(jìn)行清洗。凹槽的底面即為第一區(qū)域的表面。利用氧化性溶液清洗時(shí),氧化性溶液可以對(duì)殘留在凹槽內(nèi),尤其是附著在第一區(qū)域表面的雜質(zhì)進(jìn)行氧化,以實(shí)現(xiàn)對(duì)有機(jī)雜質(zhì)和無機(jī)顆粒的清洗、剝離。在氧化性溶液對(duì)凹槽進(jìn)行清洗的過程中,氧化性溶液會(huì)氧化凹槽內(nèi)殘留的半導(dǎo)體顆粒并部分的氧化第一區(qū)域的表面,生成氧化物。利用氫氟酸對(duì)凹槽進(jìn)行清洗時(shí),氫氟酸與氧化物發(fā)生反應(yīng),可以去除凹槽內(nèi)以及第一區(qū)域表面所存在的氧化物。另外,氫氟酸可以剝離第一區(qū)域表面由開設(shè)凹槽所產(chǎn)生的不平整薄層,并同時(shí)剝離第一區(qū)域表面沾染的雜質(zhì)。由此可見,本發(fā)明的太陽能電池的制備方法,不僅可以較好的去除凹槽內(nèi)的雜質(zhì),而且可以去除第一區(qū)域表面的不平整薄層,進(jìn)而能夠提高太陽能電池的性能。
此外,利用氫氟酸清洗凹槽后,第一區(qū)域的表面的氧化物被去除,呈現(xiàn)出疏水狀態(tài),且凹槽內(nèi)殘留的雜質(zhì)被去除,有利于清洗后的快速烘干,提高太陽能電池的制作效率。
在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中,上述氧化性溶液和氫氟酸處于同一溶液體系。此時(shí),氧化性溶液和氫氟酸可以同時(shí)對(duì)凹槽進(jìn)行處理,從而可以實(shí)現(xiàn)對(duì)凹槽的快速清洗。
在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中,上述氧化性溶液和氫氟酸處于不同溶液體系。利用氧化性溶液和氫氟酸對(duì)凹槽進(jìn)行清洗包括:利用氧化性溶液對(duì)凹槽進(jìn)行第一次清洗;利用氫氟酸對(duì)凹槽進(jìn)行第二次清洗。此時(shí),分兩步對(duì)凹槽進(jìn)行清洗,可以確保氧化性溶液與凹槽內(nèi)的殘留雜質(zhì)充分反應(yīng),也可以確保氫氟酸充分的與氧化物反應(yīng),從而完全去除對(duì)氧化物。可見,分兩步對(duì)凹槽進(jìn)行清洗可以提高清洗質(zhì)量,提升第一區(qū)域的表面清潔度。
在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中,上述氫氟酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)小于或等于0.5%。此時(shí),氫氟酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)較小,可以較少的刻蝕第一氧化層,較大程度的保留第一氧化層,以起到保護(hù)第一摻雜層的作用。
在一些可能的實(shí)現(xiàn)方式中,上述氧化性溶液至少含有臭氧。此時(shí),含有臭氧的氧化性溶液,可以大大提高氧化性溶液的含氧量,從而提高氧化去除雜質(zhì)的能力,提高第一區(qū)域的清潔度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





