[發明專利]一種引線端子及使用該引線端子的功率模塊

在審

• 申請號: 202011476972.X
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN112582369A
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 王志超
• 申請（專利權）人: 華芯威半導體科技（北京）有限責任公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L25/07
• 代理公司: 北京邦創至誠知識產權代理事務所(普通合伙) 11717
• 代理人: 張宇鋒

本發明公開了一種引線端子及使用該引線端子的功率模塊，其通過將第一引線端子與第二引線端子向側邊彎折設置，從而減少了功率回路的長度；通過將第一引線端子與第二引線端子疊層設置，減少了功率回路面積，從而降低了寄生電感和寄生電阻，提升了功率模塊的轉換效率。

技術領域

本發明涉及功率半導體器件技術領域，尤其是涉及一種引線端子及使用該引線端子的功率模塊。

背景技術

目前，將功率半導體開關芯片，如IGBT或SiC MOSFET芯片，封裝在功率模塊內部，是實現對大電流的高速開關控制的常用技術手段。然而，由于封裝結構會引入寄生電感，在開關芯片動作時，寄生電感會引起電壓波動，造成電壓過沖或波形振蕩，影響了功率模塊的正常使用。各功率模塊封裝廠商都在盡量降低寄生電感，終端用戶也十分關注此參數，但降低寄生電感的有效方法并不多。

近幾年隨著SiC MOSFET器件的日漸成熟，對寄生電感提出了更加嚴苛的要求，只有降低寄生電感才能充分發揮SiC器件高頻、高效的特點。傳統封裝結構寄生電感較大，已經不能滿足應用的需求，急需開發新型的低寄生電感的功率模塊。

公開于該背景技術部分的信息僅僅旨在加深對本發明的總體背景技術的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域技術人員所公知的現有技術。

發明內容

本發明的目的在于提供一種引線端子及使用該引線端子的功率模塊，以解決現有技術中存在的問題。

為了實現上述目的，本發明采用以下技術方案：

本發明提供一種引線端子，包括第一引線端子和第二引線端子，其中，

所述第一引線端子包括第一部，在所述第一部的一端向側邊彎折延伸出第二部，在所述第二部的末端向遠離第一部的方向延伸出第三部，所述第三部與第一部平行設置；

第二引線端子包括與第一引線端子第一部平行的第四部，在所述第四部的一端向側邊延伸出第五部，所述第五部與第二部平行正對設置，第五部的末端向遠離第四部的方向延伸出第六部，所述第六部部分區域與第三部平行正對設置。

作為一種進一步的技術方案，所述第二部與所述第一部呈垂直關系，且第二部是在第一部的末端向右側或向左側彎折；所述第五部與所述第四部呈垂直關系，且第五部是在第四部的末端向右側或向左側彎折。

作為一種進一步的技術方案，所述第二部是在所述第一部的末端向左右兩側彎折；所述第五部是在所述第四部的末端向左右兩側彎折。

作為一種進一步的技術方案，所述第三部的長度大于所述第六部的長度。

作為一種進一步的技術方案，所述第一部與所述第四部上均設置有連接孔。

本發明提供一種使用上述引線端子的功率模塊，包括輸出端子、驅動端子、外殼、底板、鍵合線、絕緣基板，其特征在于，所述第三部與第一芯片組的集電極或漏極電連接，所述第六部與第二芯片組的發射極或源極電連接。

作為一種進一步的技術方案，所述第六部直接通過鍵合線與所述第二芯片組的發射極或源極連接。

作為一種進一步的技術方案，所述第一芯片組表面的鍵合線與所述第二芯片組表面的鍵合線呈垂直布置。

作為一種進一步的技術方案，所述第三部與上橋臂銅層電連接。

作為一種進一步的技術方案，部分所述驅動端子位于所述第一引線端子或所述第二引線端子或第一引線端子和第二引線端子的上方。

采用上述技術方案，本發明具有如下有益效果：