[發明專利]膜形成方法和膜形成裝置在審
| 申請號： | 202011476465.6 | 申請日： | 2020-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN113053725A | 公開（公告）日： | 2021-06-29 |
| 發明（設計）人： | 竹澤由裕;鈴木大介;林寬之;本山豐 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 方法 裝置 | ||
本發明涉及膜形成方法和膜形成裝置。[課題]提供可以形成大粒徑的多晶硅膜的技術。[解決方案]本公開的一方式的膜形成方法具備如下工序：在基底上形成依次層疊有界面層、主體層和表面層的層疊膜的工序；和，對前述層疊膜進行結晶處理的工序，前述主體層在前述進行結晶處理的工序中由比前述界面層還容易結晶的膜形成，前述表面層在前述進行結晶處理的工序中由比前述主體層還容易結晶的膜形成。
技術領域
本公開涉及膜形成方法和膜形成裝置。
背景技術
作為三維NAND結構的通道，有時使用有多晶硅膜。專利文獻1中公開了一種形成多晶硅膜的方法，其在晶體生長慢的第1非晶硅膜上層疊晶體生長快于第1非晶硅膜的第2非晶硅膜后進行結晶處理，從而形成多晶硅膜。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2015-115435號公報
發明內容
本公開提供：可以形成大粒徑的多晶硅膜的技術。
本公開的一方式的膜形成方法具備如下工序：在基底上形成依次層疊有界面層、主體層和表面層的層疊膜的工序；和，對前述層疊膜進行結晶處理的工序，前述主體層在前述進行結晶處理的工序中由比前述界面層還容易結晶的膜形成，前述表面層在前述進行結晶處理的工序中由比前述主體層還容易結晶的膜形成。
根據本公開，可以形成大粒徑的多晶硅膜。
附圖說明
圖1為示出一實施方式的膜形成方法的流程圖。
圖2為示出圖1的膜形成方法中的形成層疊膜的工序的一例的流程圖。
圖3為示出圖1的膜形成方法中的形成層疊膜的工序的一例的工序剖視圖。
圖4為用于說明一實施方式的膜形成方法的作用效果的圖。
圖5為示出立式熱處理裝置的構成例的縱剖視圖。
圖6為用于說明圖5的立式熱處理裝置的反應管的圖。
圖7為示出基于XRD的評價結果的一例的圖。
圖8為示出基于SIMS的評價結果的一例的圖。
圖9為示出基于光譜橢偏儀的評價結果的一例的圖。
圖10為示出基于光譜橢偏儀的評價結果的另一例的圖。
圖11為示出基于TEM的評價結果的一例的圖。
110 基底
120 層疊膜
121 界面層
122 主體層
123 表面層
具體實施方式
以下，邊參照所附的附圖邊對本公開的非限定性的示例的實施方式進行說明。所附的全部附圖中，對于相同或對應的構件或部件，標注相同或對應的附圖標記，省略重復的說明。
〔膜形成方法〕
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
