[發明專利]膜形成方法和膜形成裝置

在審

• 申請號: 202011476465.6
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN113053725A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 竹澤由裕;鈴木大介;林寬之;本山豐
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/205
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種膜形成方法，其具備如下工序：

在基底上形成依次層疊有界面層、主體層和表面層的層疊膜的工序；和，

對所述層疊膜進行結晶處理的工序，

所述主體層在所述進行結晶處理的工序中由比所述界面層還容易結晶的膜形成，

所述表面層在所述進行結晶處理的工序中由比所述主體層還容易結晶的膜形成。

2.根據權利要求1所述的膜形成方法，其中，還具備如下工序：減小所述層疊膜的膜厚的工序，其在所述進行結晶處理的工序后進行。

3.根據權利要求2所述的膜形成方法，其中，形成所述層疊膜的工序中形成的所述層疊膜的膜厚為比目標膜厚還厚的膜厚，

減小所述層疊膜的膜厚的工序為將所述層疊膜的膜厚減小至所述目標膜厚的工序。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的膜形成方法，其中，所述主體層具有多層結構，

所述多層結構的各層在所述進行結晶處理的工序中由比所述界面層還容易結晶的膜形成。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的膜形成方法，其中，所述界面層和所述主體層由包含硅和氫的膜形成，

膜中氫濃度按照所述界面層和所述主體層的順序依次降低。

6.根據權利要求5所述的膜形成方法，其中，所述表面層由包含硅和用于促進結晶的雜質的膜形成。

7.根據權利要求5所述的膜形成方法，其中，所述表面層由包含硅和氫的膜形成，

膜中氫濃度按照所述界面層、所述主體層和所述表面層的順序依次降低。

8.根據權利要求1至4中任一項所述的膜形成方法，其中，所述界面層由包含硅和用于妨礙結晶的雜質的膜形成，

所述主體層由包含硅的膜形成，

所述表面層由包含硅和用于促進結晶的雜質的膜形成。

9.根據權利要求8所述的膜形成方法，其中，所述用于妨礙結晶的雜質為氧、碳或氮。

10.根據權利要求6、8或9所述的膜形成方法，其中，所述用于促進結晶的雜質為氯、磷、硼、鍺、鋁、鎳或氟。

11.根據權利要求6、8、9或10所述的膜形成方法，其中，所述表面層通過在所述主體層的表面摻雜所述用于促進結晶的雜質而形成。

12.根據權利要求1至5中任一項所述的膜形成方法，其中，所述表面層不含硅且由所述用于妨礙結晶的雜質形成。

13.一種膜形成裝置，其為具備處理部和控制部的膜形成裝置，

所述控制部以控制所述處理部的方式構成，使其執行如下工序：

在基底上形成依次層疊有界面層、主體層和表面層的層疊膜的工序、和對所述層疊膜進行結晶處理的工序，

所述主體層在所述進行結晶處理的工序中由比所述界面層還容易結晶的膜形成，

所述表面層在所述進行結晶處理的工序中由比所述主體層還容易結晶的膜形成。