[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011475951.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112599581A | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許瑾;周小康;趙偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京維信諾科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 薛異榮 |
| 地址: | 100085 北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置,顯示面板包括:OLED背光源和設(shè)置在所述OLED背光源的出光方向一側(cè)的量子點(diǎn)層;所述OLED背光源包括:基板;位于所述基板和所述量子點(diǎn)層之間的發(fā)光層;位于所述發(fā)光層側(cè)部的反射柱,所述反射柱用于將所述發(fā)光層射向所述反射柱的光反射至所述量子點(diǎn)層。所述顯示面板提高了量子點(diǎn)層對(duì)背光源出射光的轉(zhuǎn)換效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡(jiǎn)稱OLED)顯示器,又稱為有機(jī)電致發(fā)光顯示器,是一種新興的平面顯示器。與現(xiàn)有的液晶顯示器相比,其具有自主發(fā)光、視角寬、超輕、超薄、高亮度、低功耗和快響應(yīng)等一系列的優(yōu)點(diǎn),并且響應(yīng)速度可達(dá)液晶顯示器的1000倍,因此,OLED顯示器成為國(guó)內(nèi)外非常熱門的平面顯示器產(chǎn)品,具有廣闊的應(yīng)用前景。OLED顯示器的結(jié)構(gòu)包括:基板玻璃;層疊設(shè)置在基板玻璃上的陽(yáng)極、有機(jī)功能層和陰極;以及封裝在玻璃基板上的蓋板。
量子點(diǎn)(quantum dot,QD)材料具有發(fā)光色純度高、發(fā)光波長(zhǎng)可調(diào)節(jié)、材料穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),在追求高色域色彩顯示領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢(shì),學(xué)術(shù)界使用OLED器件作為背光源,搭配量子點(diǎn)作為光色調(diào)節(jié)的技術(shù)成為當(dāng)前顯示技術(shù)的研發(fā)熱點(diǎn)。
然而,目前OLED背光源結(jié)合量子點(diǎn)技術(shù)的器件,量子點(diǎn)層對(duì)背光源出射光的轉(zhuǎn)換效率較差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于有效的改善現(xiàn)有技術(shù)中量子點(diǎn)層對(duì)背光源出射光的轉(zhuǎn)換效率較差的問題。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種顯示面板,包括:OLED背光源和設(shè)置在所述OLED背光源的出光方向一側(cè)的量子點(diǎn)層;所述OLED背光源包括:基板;位于所述基板和所述量子點(diǎn)層之間的發(fā)光層;位于所述發(fā)光層側(cè)部的反射柱,所述反射柱用于將所述發(fā)光層射向所述反射柱的光反射至所述量子點(diǎn)層。
可選的,所述OLED背光源還包括:位于所述基板上的像素限定層;所述發(fā)光層位于所述像素限定層的開口中;所述反射柱位于所述發(fā)光層側(cè)部的所述像素限定層中。
可選的,所述反射柱與所述發(fā)光層間隔設(shè)置。
可選的,所述反射柱背向所述基板一側(cè)的頂面至所述基板之間的間距大于所述發(fā)光層背向所述基板一側(cè)的表面至所述基板之間的間距。
可選的,所述反射柱背向所述基板的頂面被所述像素限定層覆蓋。
可選的,所述反射柱的高度占所述像素限定層的厚度的90%~95%。
可選的,所述反射柱的寬度為1um~18um。
可選的,所述反射柱至與反射柱相鄰的量子點(diǎn)層之間的橫向間距小于或等于8um。
可選的,所述反射柱在所述基板表面的正投影的長(zhǎng)度大于或等于所述發(fā)光層靠近所述反射柱一側(cè)的邊長(zhǎng)。
可選的,所述反射柱的側(cè)壁表面與所述反射柱朝向的所述基板的表面之間的夾角大于或等于90度且小于或等于120度。
可選的,所述反射柱的材料包括粘合材料和反射主體材料的混合材料;優(yōu)選的,所述粘合材料包括二酚基丙烷或者環(huán)氧樹脂,所述反射主體材料包括銀。
可選的,所述反射主體材料與所述粘合材料的質(zhì)量比為78%~82%。
可選的,所述發(fā)光層的數(shù)量為若干個(gè),所述發(fā)光層在所述基板上陣列排布。
可選的,所述反射柱位于相鄰行的發(fā)光層之間和/或相鄰列的發(fā)光層之間。
可選的,對(duì)于任意一行的多個(gè)發(fā)光層,位于每個(gè)發(fā)光層同一側(cè)的行方向的反射柱之間相互間隔或者相互連接,對(duì)于任意一列的多個(gè)發(fā)光層,位于每個(gè)發(fā)光層同一側(cè)的列方向的反射柱之間相互間隔或者相互連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





