[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011475951.6 | 申請日: | 2020-12-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112599581A | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許瑾;周小康;趙偉 | 申請(專利權(quán))人: | 北京維信諾科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 薛異榮 |
| 地址: | 100085 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
OLED背光源和設(shè)置在所述OLED背光源的出光方向一側(cè)的量子點(diǎn)層;
所述OLED背光源包括:基板;位于所述基板和所述量子點(diǎn)層之間的發(fā)光層;位于所述發(fā)光層側(cè)部的反射柱,所述反射柱用于將所述發(fā)光層射向所述反射柱的光反射至所述量子點(diǎn)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述OLED背光源還包括:位于所述基板上的像素限定層;所述發(fā)光層位于所述像素限定層的開口中;所述反射柱位于所述發(fā)光層側(cè)部的所述像素限定層中;
優(yōu)選的,所述反射柱與所述發(fā)光層間隔設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述反射柱背向所述基板一側(cè)的頂面至所述基板之間的間距大于所述發(fā)光層背向所述基板一側(cè)的表面至所述基板之間的間距;
優(yōu)選的,所述反射柱背向所述基板的頂面被所述像素限定層覆蓋;
優(yōu)選的,所述反射柱的高度占所述像素限定層的厚度的90%~95%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示面板,其特征在于,所述反射柱的寬度為1um~18um;
優(yōu)選的,所述反射柱至與反射柱相鄰的量子點(diǎn)層之間的橫向間距小于或等于8um;
優(yōu)選的,所述反射柱在所述基板表面的正投影的長度大于或等于所述發(fā)光層靠近所述反射柱一側(cè)的邊長。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示面板,其特征在于,所述反射柱的側(cè)壁表面與所述反射柱朝向的所述基板的表面之間的夾角大于或等于90度且小于或等于120度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示面板,其特征在于,所述反射柱的材料包括粘合材料和反射主體材料的混合材料;
優(yōu)選的,所述粘合材料包括二酚基丙烷或者環(huán)氧樹脂;所述反射主體材料包括銀;
優(yōu)選的,所述反射主體材料與所述粘合材料的質(zhì)量比為78%~82%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示面板,其特征在于,所述發(fā)光層的數(shù)量為若干個(gè),所述發(fā)光層在所述基板上陣列排布;
優(yōu)選的,所述反射柱位于相鄰行的發(fā)光層之間和/或相鄰列的發(fā)光層之間;
優(yōu)選的,對于任意一行的多個(gè)發(fā)光層,位于每個(gè)發(fā)光層同一側(cè)的行方向的反射柱之間相互間隔或者相互連接,對于任意一列的多個(gè)發(fā)光層,位于每個(gè)發(fā)光層同一側(cè)的列方向的反射柱之間相互間隔或者相互連接;
優(yōu)選的,所述反射柱與相鄰的發(fā)光層之間的間距相等;
優(yōu)選的,所述反射柱呈條狀結(jié)構(gòu);
優(yōu)選的,所述反射柱呈十字交叉的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu);
優(yōu)選的,每個(gè)所述發(fā)光層的側(cè)部均環(huán)繞有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的反射柱;
優(yōu)選的,對于環(huán)繞所述發(fā)光層側(cè)部的所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)的反射柱,位于發(fā)光層各側(cè)的反射柱之間相互間隔;
優(yōu)選的,位于每個(gè)發(fā)光層側(cè)部的反射柱相互間隔,所述反射柱在所述基板表面的正投影的兩端的寬度大于中間的寬度。
8.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括:
形成OLED背光源,形成所述OLED背光源的方法包括:提供基板;在所述基板上形成發(fā)光層;在所述基板上形成反射柱,所述反射柱位于所述發(fā)光層的側(cè)部;
在所述OLED背光源的出光方向一側(cè)形成量子點(diǎn)層,所述發(fā)光層位于所述基板和所述量子點(diǎn)層之間,所述反射柱用于將所述發(fā)光層射向所述反射柱的光反射至所述量子點(diǎn)層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





