[發明專利]一種蝕刻廢液制備弱酸性次氯酸水工藝及系統

在審

• 申請號: 202011474745.3
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112408329A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 傅新民;康淵;黃明;孟勇;劉玉珍;李宏隆;黃新雅;王敬宇;付亮;王浩銘
• 申請（專利權）人: 廣西鴻盈達環境科技有限公司;傅新民
• 主分類號: C01B11/06
• 分類號: C01B11/06;C01B11/04;C01B7/07;C25C1/12;C25B1/26
• 代理公司: 廣西中知科創知識產權代理有限公司 45130
• 代理人: 趙團軍

本發明涉及環保技術領域，尤其是一種蝕刻廢液制備弱酸性次氯酸水工藝，包括下述步驟：S1將電解酸性氯化銅蝕刻液廢液作為電解液進行電解，以在陰極板上獲得金屬銅及在陽極板上獲得含雜質的氯氣；S2將步驟S1中雜質氯氣進行收集，且將雜質氯氣依次通過稀硫酸溶液及純水，以去除氯氣中的銅離子及雜氣體，并以獲得有效氯氣；S3對步驟S2獲得的有效氯氣依次通過氫氧化鈉溶液及鹽酸溶液，以依次獲得次氯酸鈉溶液、弱酸性次氯酸水。同時公開了一種蝕刻廢液制備弱酸性次氯酸水系統，本發明的一種蝕刻廢液制備弱酸性次氯酸水工藝及系統，能夠對酸性氯化銅蝕刻廢液進行回收利用，并能夠獲得用于消毒或除菌方面的弱酸性次氯酸水。

技術領域

本發明涉及環保技術領域，尤其是一種蝕刻廢液制備弱酸性次氯酸水工藝及系統。

背景技術

隨著電子工業的發展，印刷電路板廣泛應用于電子產品的生產過程中，但過程中產生的大量廢棄物給環境造成了巨大危害，其中蝕刻廢液的產生與排放造成嚴重的環境污染和資源浪費，而大部分蝕刻廢液為酸性氯化銅蝕刻廢液，主要是因為其蝕刻速率快，溶銅容量高，易控制。

目前對酸性氯化銅蝕刻廢液的處理一般采用電解法，在陽極再生蝕刻液的同時在陰極同時進行沉積回收銅過程，在此過程中，陽極產生強氧化性氣體氯氣，一部分再次用于蝕刻廢液中，一部分則未被回收利用，造成空氣二次污染以及資源浪費?，F有氯氣處理一般采用氯化亞鐵溶液吸收氯氣，但這樣處理后的氯氣攜帶少量銅離子和雜氣體，例如水蒸氣、氧氣等，最終難以回收利用，進行資源循環，使用價值降低，成本較高。

發明內容

為了解決上述問題，本發明提供一種蝕刻廢液制備弱酸性次氯酸水工藝及系統，能夠對酸性氯化銅蝕刻廢液進行回收利用，并能夠獲得用于消毒或除菌方面的弱酸性次氯酸水。

為了解決上述問題，本發明采用的技術方案為：

一種蝕刻廢液制備弱酸性次氯酸水工藝，包括下述步驟，

S1、廢液的電解：將電解酸性氯化銅蝕刻液廢液作為電解液進行電解，以在陰極板上獲得金屬銅及在陽極板上獲得含雜質的氯氣；

S2、氯氣的處理：將步驟S1中雜質氯氣進行收集，且將雜質氯氣依次通過稀硫酸溶液及純水，以去除氯氣中的銅離子及雜氣體，并以獲得有效氯氣；

S3、弱酸性次氯酸水的制備：對步驟S2獲得的有效氯氣依次通過氫氧化鈉溶液及鹽酸溶液，以依次獲得次氯酸鈉溶液、弱酸性次氯酸水。

進一步地，所述步驟S3中，所述次氯酸鈉溶液的氯酸鈉質量分數為10Wt％，所述鹽酸溶液的中鹽酸質量分數為35Wt％，所述弱酸性次氯酸水的濃度為500ppm。

進一步地，在所述步驟S3中，每5kg的次氯酸鈉溶液在制備所述弱酸性次氯酸水時需要加水947.365kg。

一種蝕刻廢液制備弱酸性次氯酸水系統，包括廢液處理模塊、氣體處理模塊及制備模塊，

所述廢液處理模塊包括儲存區及電解槽，所述儲存區用于獲取蝕刻液生產線的電解酸性氯化銅蝕刻液廢液，且所述儲存區與所述電解槽連接；

所述氣體處理模塊包括銅離子去除裝置及雜氣體去除裝置，所述銅離子去除裝置內設有稀硫酸溶液，且所述銅離子去除裝置的入口端與所述電解槽的陽極收集區連接，所述銅離子去除裝置的出口端與所述雜氣體去除裝置連接，所述雜氣體去除裝置設有純水；

所述制備模塊包括次氯酸鈉溶液生成裝置及次氯酸水生成裝置，

所述次氯酸鈉溶液生成裝置設有氫氧化鈉溶液，且所述次氯酸鈉溶液生成裝置一端與所述雜氣體去除裝置導通連接，另一端與所述次氯酸水生成裝置導通連接；

所述次氯酸水生成裝置包括生成箱，所述生成箱內設有鹽酸溶液，且所述生成箱與所述次氯酸鈉溶液生成裝置導通連接。