[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

有效

• 申請號: 202011474486.4
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112599540B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 蔡振飛
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 杜蕾

本發明提供的一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，該陣列基板通過在所述雙柵極薄膜晶體管設置過孔，所述雙柵極薄膜晶體管的頂柵和底柵通過所述過孔電連接，所述GOA電路通過所述掃描線與所述頂柵或底柵電連接，使得所述頂柵將掃描信號傳遞至所述底柵，或者將所述底柵的掃描信號傳遞至所述頂柵，從而實現單根掃描線驅動所述雙柵極薄膜晶體管，進而減少所述GOA電路的數量，達到縮窄顯示面板邊框的效果。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術

平面顯示裝置具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點，得到了廣泛地應用。現有的平面顯示裝置主要包括液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)及有機發光二極管顯示器(Organic Light Emitting Display，OLED)。薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)是平面顯示裝置的重要組成部分。TFT可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作為開關部件和驅動部件用在諸如LCD、OLED等平面顯示裝置上。

目前，大部分的OLED設備采用的是LTPS(Low Temperature Poly-silicon低溫多晶硅)TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)的面板技術。在經歷過去數年的改良，LTPS顯示面板擁有高分辨率、高反應速度、高亮度、高開口率等優勢，使其成為了當今市面上最成熟和主流的TFT面板技術方案。雖然LTPS顯示面板盡管受到了市場歡迎，但其具有生產成本較高、所需功耗較大的劣勢。因此，技術人員開發出來了LTPO(Low TemperaturePolycrystalline Oxide，低溫多晶氧化物)顯示面板技術，即將LTPS顯示面板技術和Oxide顯示面板技術相結合得到的LTPO顯示面板，LTPO顯示面板不僅具有LTPS顯示面板的高分辨率、高反應速度、高亮度、高開口率等優勢，其還具有生產成本低和功耗低的優勢。

但是，LTPO技術會造成薄膜晶體管漏電流增大，所以通常將氧化物半導體薄膜晶體管替換LTPO電路中容易漏電的部分，但是在實際的開發過程中，氧化物半導體薄膜晶體管容易發生閾值電壓漂移問題，造成漏電流增大，甚至無法正常關閉問題，所以在現有設計中引入雙柵極設計，即一個薄膜晶體管同時利用上下兩層掃描線控制，掃描線連接同一柵極驅動信號，以此降低漏電流。但是此技術會帶來一些副作用：引入雙柵信號，會導致電路中出現額外寄生電容增加的問題，從而導致柵極驅動信號的RC Loading增大。為了減小所述RC Loading，需要在AA區(顯示區)右側額外添加一組GOA驅動電路，多添加的一組GOA驅動電路會使得顯示面板的邊框增大。

發明內容

為解決以上問題，本申請提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，旨在解決電路中引入雙柵信號，導致GOA驅動電路數量增加，使得顯示面板邊框增大的問題。

一方面，本發明提供一種陣列基板，包括：襯底；多個子像素，設于所述襯底上且呈陣列排布；GOA電路，設于所述多個子像素所在區域的外側；及多條掃描線，與所述子像素和所述GOA電路電性連接；

其中，所述子像素包括至少一個雙柵極薄膜晶體管，所述雙柵極薄膜晶體管設置有過孔，所述雙柵極薄膜晶體管的頂柵和底柵通過所述過孔電連接，所述GOA電路通過所述掃描線與所述頂柵或所述底柵電連接，來傳輸所述GOA電路的掃描驅動信號。

在一些實施方案中，所述雙柵極薄膜晶體管為雙柵極氧化物半導體薄膜晶體管。

在一些實施方案中，所述子像素還包括至少一個多晶硅薄膜晶體管。

在一些實施方案中，所述子像素的電路包括第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體管(T4)、第五薄膜晶體管(T5)、第六薄膜晶體管(T6)、第七薄膜晶體管(T7)以及1個電容(C1)，所述子像素的薄膜晶體管中至少有兩個為雙柵極氧化物半導體薄膜晶體管。