[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

有效

• 申請號: 202011474486.4
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112599540B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 蔡振飛
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 杜蕾

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底；

多個子像素，設于所述襯底上且呈陣列排布；

GOA電路，設于所述多個子像素所在區域的外側；及

多條掃描線，與所述子像素和所述GOA電路電性連接；

其中，所述子像素包括至少一個雙柵極薄膜晶體管，所述雙柵極薄膜晶體管設置有過孔，所述雙柵極薄膜晶體管的頂柵和底柵通過所述過孔電連接，所述GOA電路通過所述掃描線與所述頂柵或所述底柵電連接；

其中，所述子像素的電路包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管以及1個電容，所述子像素的薄膜晶體管中至少有兩個為雙柵極氧化物半導體薄膜晶體管。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述雙柵極薄膜晶體管為雙柵極氧化物半導體薄膜晶體管。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述子像素還包括至少一個多晶硅薄膜晶體管。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述過孔中設置有連接電極，所述雙柵極薄膜晶體管的頂柵和底柵通過所述過孔中的連接電極電連接。

5.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1-4任一項所述的陣列基板。

6.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上制備多個子像素、GOA電路及多條掃描線，所述子像素包括至少一個雙柵極薄膜晶體管；

在所述雙柵極薄膜晶體管上形成過孔，使所述雙柵極薄膜晶體管的頂柵和底柵通過所述過孔電連接，所述GOA電路通過所述掃描線與所述頂柵或所述底柵電連接；

其中，所述子像素的電路包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管以及1個電容，所述子像素的薄膜晶體管中至少有兩個為雙柵極氧化物半導體薄膜晶體管。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述子像素的制備方法，包括：

在所述襯底上形成多晶硅半導體層；

在所述多晶硅半導體層上依次形成第一柵極絕緣層、第一柵極、第二柵極絕緣層、第二柵極，所述第二柵極作為所述雙柵極薄膜晶體管的底柵；

在所述第二柵極上形成第一層間介質層，在所述第一層間介質層上形成第一層間介質層孔；

在所述層間介質層上形成氧化物半導體層；

在所述半導體層上依次沉積第三柵極絕緣層和第三柵極，所述第三柵極作為所述雙柵極薄膜晶體管的頂柵；

在所述第三柵極上形成第二層間介質層，在所述第二層間介質層上形成第二層間介質層孔，所述第一層間介質層孔與所述第二層間介質層孔作為所述雙柵極薄膜晶體管的過孔；

在所述第二層間介質層上形成第一源漏極層，所述第一源漏極層包括連接電極，所述雙柵極薄膜晶體管的頂柵和底柵通過所述過孔中的連接電極電連接。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述子像素的制備方法，還包括：

在所述第一源漏極層上依次形成鈍化層、第一平坦層、第二源漏極層、第二平坦層；

在所述第二平坦層上沉積陽極；

在所述陽極上形成像素定義層，在所述像素定義層上設置支撐柱。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述氧化物半導體層材料采用銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物或銦鎵鋅錫氧化物中的至少一種。