[發(fā)明專利]靜態(tài)隨機存儲器單元以及存儲器

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• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN112581988A
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 陳靜;呂迎歡;葛浩;謝甜甜;王青
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所;上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G11C5/06
• 分類號: G11C5/06;G11C5/02;G11C11/411
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

一種靜態(tài)隨機存儲器單元，包括電學串聯(lián)的第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管，以及并聯(lián)在第一和第二傳輸晶體管之間的兩個對置互鎖的第一和第二反相器，所述第一反相器包括第一上拉晶體管和第一下拉晶體管，所述第二反相器包括第二上拉晶體管和第二下拉晶體管，所述靜態(tài)隨機存儲器單元的晶體管采用背柵晶體管。本發(fā)明在原有傳統(tǒng)6管存儲單元的基礎上添加背柵結構連接電位，通過調節(jié)背柵來調節(jié)晶體管溝道的導電能力，可以在不改變版圖尺寸的情況下實現(xiàn)電學參數(shù)調節(jié)的目的，降低了研發(fā)成本。

技術領域

本發(fā)明涉及微電子學領域，尤其涉及一種靜態(tài)隨機存儲器單元以及存儲器。

背景技術

靜態(tài)隨機存儲器因其良好的性能被廣泛應用于電子設備。附圖1所示是現(xiàn)有技術中一種典型的六晶體管結構靜態(tài)隨機存儲器的存儲單元。在現(xiàn)有技術的靜態(tài)存儲單元設計中，往往通過版圖尺寸的改變或者工藝參數(shù)的變化來改變單元所能達到的電學參數(shù)。這往往需要多次制版，意味著更多的經濟投入。而工藝參數(shù)的變動又會帶來許多不確定的因素，因此如何降低工藝參數(shù)變動帶來的成本，是現(xiàn)有技術需要解決的問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明所要解決的技術問題是，提供一種靜態(tài)隨機存儲器單元以及存儲器，能夠降低改變電學參數(shù)工藝的成本。

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種靜態(tài)隨機存儲器單元，包括電學串聯(lián)的第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管，以及并聯(lián)在第一和第二傳輸晶體管之間的兩個對置互鎖的第一和第二反相器，所述第一反相器包括第一上拉晶體管和第一下拉晶體管，所述第二反相器包括第二上拉晶體管和第二下拉晶體管，所述靜態(tài)隨機存儲器單元選取以下三種設置方式中的至少一種：所述第一上拉晶體管和第二上拉晶體管設置為具有背柵結構，所述背柵電學連接第一電平；所述第一下拉晶體管和第二下拉晶體管設置為具有背柵的全耗盡SOI結構，所述背柵電學連接第二電平；以及所述第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管設置為具有背柵的全耗盡SOI結構，所述背柵電學連接第三電平。

可選的，所述靜態(tài)隨機存儲器單元同時采取三種設置方式。

可選的，所述背柵結構采用全耗盡SOI襯底制作。

本發(fā)明還提供了一種靜態(tài)隨機存儲器，包括上述任一所述的靜態(tài)隨機存儲器單元。

本發(fā)明在原有傳統(tǒng)6管存儲單元的基礎上添加背柵結構連接電位，通過調節(jié)背柵來調節(jié)晶體管溝道的導電能力，可以在不改變版圖尺寸的情況下實現(xiàn)電學參數(shù)調節(jié)的目的，降低了研發(fā)成本。

附圖說明

附圖1所示是現(xiàn)有技術中一種典型的六晶體管結構靜態(tài)隨機存儲器的存儲單元電路圖。

附圖2所示是本具體實施方式所述靜態(tài)隨機存儲器單元的電路圖。

附圖3所示是以一種典型的全耗盡SOI結構的晶體管剖面結構圖。

附圖4A給出的是N型晶體管背柵偏壓分別為0.3V、0V、以及-0.3V的情況下，Id和Vg的變化曲線。

附圖4B給出的是P型晶體管背柵偏壓分別為0.3V、0V、以及-0.3V的情況下，Id和Vg的變化曲線。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明提供的靜態(tài)隨機存儲器單元以及存儲器的具體實施方式做詳細說明。

附圖2所示是本具體實施方式所述靜態(tài)隨機存儲器單元的電路圖，包括電學串聯(lián)的第一傳輸晶體管PG1和第二傳輸晶體管PG2。所述第一傳輸晶體管PG1和第二傳輸晶體管PG2均為N型晶體管。并聯(lián)在第一傳輸晶體管PG1和第二傳輸晶體管PG2之間的兩個對置互鎖的第一和第二反相器。所述第一反相器由P型的第一上拉晶體管PU1和N型的第一下拉晶體管PD1構成，所述第二反相器由P型的第二上拉晶體管PU2和N型的第二下拉晶體管PD2構成。