[發(fā)明專利]靜態(tài)隨機存儲器單元以及存儲器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011473468.4 | 申請日： | 2020-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN112581988A | 公開（公告）日： | 2021-03-30 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳靜;呂迎歡;葛浩;謝甜甜;王青 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所;上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G11C5/06 | 分類號： | G11C5/06;G11C5/02;G11C11/411 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靜態(tài) 隨機 存儲器 單元 以及 | ||
【權利要求書】：
1.一種靜態(tài)隨機存儲器單元，包括電學串聯(lián)的第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管，以及并聯(lián)在第一和第二傳輸晶體管之間的兩個對置互鎖的第一和第二反相器，所述第一反相器包括第一上拉晶體管和第一下拉晶體管，所述第二反相器包括第二上拉晶體管和第二下拉晶體管，其特征在于，所述靜態(tài)隨機存儲器單元選取以下三種設置方式中的至少一種：
所述第一上拉晶體管和第二上拉晶體管設置為具有背柵結構，所述背柵電學連接第一電平；
所述第一下拉晶體管和第二下拉晶體管設置為具有背柵的全耗盡SOI結構，所述背柵電學連接第二電平；以及
所述第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管設置為具有背柵的全耗盡SOI結構，所述背柵電學連接第三電平。
2.根據(jù)權利要求1所述的靜態(tài)隨機存儲器單元，其特征在于，所述靜態(tài)隨機存儲器單元同時采取三種設置方式。
3.根據(jù)權利要求1所述的靜態(tài)隨機存儲器單元，其特征在于，所述背柵結構采用全耗盡SOI襯底制作。
4.一種靜態(tài)隨機存儲器，包括權利要求1-3中任一所述的靜態(tài)隨機存儲器單元。
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