[發(fā)明專利]底填層結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

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• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN112599429A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉鑄;曹立強;孫鵬;嚴陽陽;耿菲;徐成
• 申請（專利權(quán)）人: 華進半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L25/065
• 代理公司: 上海智晟知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種底填層結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

在3D系統(tǒng)集成結(jié)構(gòu)中形成至少一層介質(zhì)層；

在所述至少一層介質(zhì)層表面上形成不平整結(jié)構(gòu)；

在所述不平整結(jié)構(gòu)上形成底填層結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的底填層結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述3D系統(tǒng)集成結(jié)構(gòu)包括第一有源層和第二有源層，所述底填層結(jié)構(gòu)位于所述第一有源層和第二有源層之間。

3.如權(quán)利要求1所述的底填層結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述底填層結(jié)構(gòu)為底填膠。

4.如權(quán)利要求3所述的底填層結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述底填膠的材料為環(huán)氧樹脂或二氧化硅。

5.如權(quán)利要求3所述的底填層結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，

所述第一有源層包括第一芯片，所述第二有源層包括第二芯片；

在第一芯片上形成第一介質(zhì)層；

在所述第一介質(zhì)層上進行刻蝕或沉積，形成第一凹槽結(jié)構(gòu)或第一凸臺結(jié)構(gòu)；

在第一介質(zhì)層上放置第二芯片，并使第二芯片與第一介質(zhì)層之間具有空隙；

在所述第二芯片和第一介質(zhì)層之間填充底填膠。

6.如權(quán)利要求5所述的底填層結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括：

在第一介質(zhì)層上放置第二芯片之前，在第二芯片上形成第二介質(zhì)層；

在所述第二介質(zhì)層上進行刻蝕或沉積，形成第二凹槽結(jié)構(gòu)或第二凸臺結(jié)構(gòu)；

在第一介質(zhì)層上放置第二芯片，并使第二介質(zhì)層與第一介質(zhì)層相對，并使第二介質(zhì)層與第一介質(zhì)層之間具有空隙；

在所述第二介質(zhì)層和第一介質(zhì)層之間填充底填膠。

7.如權(quán)利要求5所述的底填層結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，

在第一芯片上形成第一介質(zhì)層之前，在第一芯片上形成多個第一焊盤，在第一芯片上形成第一介質(zhì)層，以使所述第一介質(zhì)層覆蓋所述第一焊盤；

在所述第一介質(zhì)層上進行刻蝕，暴露所述第一焊盤；

在第一焊盤上形成金屬連接柱；

在金屬連接柱上焊接第二芯片。

8.一種底填層結(jié)構(gòu)，其特征在于，其由權(quán)利要求1所述的底填層結(jié)構(gòu)的制造方法形成。

9.如權(quán)利要求8所述的底填層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述不平整結(jié)構(gòu)為凹槽或凸臺，所述凹槽或凸臺為正方形或長方形，所述凹槽或凸臺的長度為10～50um，所述凹槽或凸臺的寬度為10～50um，所述凹槽或凸臺的深度為3～6um。

10.如權(quán)利要求9所述的底填層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽或凸臺之間的間距為3～10um。