[發明專利]天線封裝結構及封裝方法

有效

• 申請號: 202011472888.0
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN112599499B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 劉鑄;曹立強
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L23/66;H01L21/50;H01Q1/22;H01Q1/50
• 代理公司: 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種天線封裝結構，其特征在于，包括：

芯片；

第一天線層，其中第一天線層與所述芯片電連接；

第一玻璃傳輸封裝層，被布置在所述芯片與第一天線層之間，其中第一玻璃傳輸封裝層中具有互連結構，以使天線層與所述芯片電連接；

重新布線層，被布置在所述芯片與所述第一玻璃傳輸封裝層之間，以使所述互連結構與所述芯片電連接；

焊盤、焊球和焊點中的一個或多個，被配置為使重新布線層與芯片電連接，或將重新布線層的電性引出；

所述第一玻璃傳輸封裝層中包括：

金屬連接柱，金屬連接柱的一端與天線層連接，另一端與所述重新布線層電連接；

玻璃介質，所述玻璃介質的一面通過粘結膠層粘貼在天線層，另一面與金屬連接柱的另一端齊平并與重新布線層接觸，所述金屬連接柱處于所述玻璃介質的外側；

所述芯片結合于所述重新布線層的第一面；

塑封結構，被配置為包覆所述金屬連接柱和玻璃介質的側面，所述具有互連結構的玻璃傳輸封裝層的頂面顯露所述金屬連接柱。

2.如權利要求1所述的天線封裝結構，其特征在于，還包括：采用電鍍或化學鍍的方法制作所述金屬連接柱，所述金屬連接柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一種，所述金屬連接柱的徑向寬度介于100微米-1000微米之間。

3.如權利要求1所述的天線封裝結構，其特征在于，還包括：所述芯片與所述重新布線層的第一面之間還包括底部填充層，所述底部填充層的材料包括復合樹脂材料；所述焊球和焊點包括錫焊料、銀焊料及金錫合金焊料中的一種。

4.如權利要求1所述的天線封裝結構，其特征在于，還包括：

第二玻璃傳輸封裝層；

第二天線層；

其中第二玻璃傳輸封裝層覆蓋第一天線層，第二天線層覆蓋二玻璃傳輸封裝層。

5.如權利要求1所述的天線封裝結構，其特征在于，還包括：所述芯片包括有源器件及無源器件中的一種或兩種，其中，所述有源器件包括電源管理電路、發射電路及接收電路中的一種，所述無源器件包括電阻、電容及電感中的一種。

6.一種天線封裝方法，其特征在于，所述封裝方法包括步驟：

步驟一，于支撐基底上形成分離層；

步驟二，于所述分離層上形成天線層；

步驟三，于所述天線層上形成玻璃傳輸封裝層；

多次重復步驟二至步驟三；

于最后一個玻璃傳輸封裝層上固連芯片；

至少最后一個玻璃傳輸封裝層中具有互連結構，以使所述天線層與所述芯片電連接；

去除支撐基底和分離層；

在完成步驟二后，在天線層上形成介質層，在介質層上形成粘結膠層，在粘結膠層上完成步驟三；

形成最后一個玻璃傳輸封裝層時，介質層上開孔，暴露部分天線層，在開孔上方形成金屬連接柱，從而金屬連接柱的一端與天線層連接，在介質層上未設置金屬連接柱的位置通過粘結膠層粘貼玻璃介質，制作塑封結構，對塑封結構進行減薄研磨，露出金屬連接柱的另一端及玻璃介質的表面，金屬連接柱的另一端與玻璃介質的表面齊平。

7.如權利要求6所述的天線封裝方法，其特征在于，所述支撐基底包括玻璃襯底、金屬襯底、半導體襯底、聚合物襯底及陶瓷襯底中的一種；所述分離層包括聚合物層，首先采用旋涂工藝將所述聚合物層的漿料涂覆于所述支撐基底表面，然后采用紫外固化或熱固化工藝使其固化成型；

所述分離層包括光熱轉換層，基于所述分離層分離所述支撐基底的方式包括采用激光照射所述光熱轉換層，以使所述光熱轉換層與所述天線層及所述支撐基底分離，進而分離所述支撐基底。