[發(fā)明專利]裸片拾取方法及裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011472641.9
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN112599467B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳鵬;李明亮;曾心如;苗健
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/687
• 代理公司: 北京英思普睿知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 16018
• 代理人: 劉瑩;聶國斌

本申請?zhí)峁┝艘环N裸片拾取方法及裝置，其中，裸片粘接在劃片膜的第一側(cè)面上的粘接區(qū)內(nèi)。該方法包括：在劃片膜的相對于第一側(cè)面的第二側(cè)面，向第一側(cè)面的方向施加用于同步推動(dòng)劃片膜的粘接區(qū)的多個(gè)推動(dòng)力，以將粘接區(qū)內(nèi)的裸片推頂至第一位置；從第一側(cè)面向位于第一位置的裸片施加遠(yuǎn)離劃片膜的吸附力；去除所述多個(gè)推動(dòng)力中的至少一部分推動(dòng)力，以使裸片與劃片膜剝離。本申請?zhí)峁┑穆闫叭》椒把b置，能夠降低裸片在剝離過程中的破裂風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，更具體地，涉及一種裸片拾取方法及裝置。

背景技術(shù)

裸片貼裝(Die Attach，DA)是芯片封裝生產(chǎn)中的一個(gè)非常重要的過程。而超薄裸片(厚度小于50微米)的貼裝更具有挑戰(zhàn)性。然而裸片厚度減薄對于裸片堆疊設(shè)計(jì)是非常必要的，特別是對于內(nèi)存行業(yè)。

在裸片封裝過程中，一般在大致圓板形狀的晶圓的表面形成格子狀的分割預(yù)定線，將晶圓劃分為多個(gè)裸片區(qū)域。通過將各區(qū)域沿分割預(yù)定線進(jìn)行劃片來形成獨(dú)立的裸片。而在晶圓劃片之前，需要在晶圓的背面粘接一層劃片膜。劃片膜能夠通過粘接將待劃片的晶圓固定住，以保持裸片在劃片過程中的完整性，并減少劃片過程中所產(chǎn)生的蹦碎。劃片膜還能夠保持裸片在傳送過程中的正常移動(dòng)，并防止掉落情況。

位于劃片膜上的裸片需要通過裸片貼裝(DA)工藝安裝到封裝載帶上，而裸片貼裝工藝中，從劃片膜上拾取裸片是一個(gè)重要的步驟。具體地，需要通過真空吸嘴吸附裸片的遠(yuǎn)離劃片膜的表面，使裸片的相對的另一表面與劃片膜逐漸剝離。但在剝離過程中裸片容易出片裂片問題，從而難以實(shí)現(xiàn)劃片膜與裸片的順利分離。

發(fā)明內(nèi)容

本申請?zhí)峁┝艘环N可至少部分解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題的裸片拾取方法及裝置。

本申請一方面提供了一種裸片拾取方法，該方法包括：在劃片膜的相對于第一側(cè)面的第二側(cè)面，向第一側(cè)面的方向施加用于同步推動(dòng)劃片膜的粘接區(qū)的多個(gè)推動(dòng)力，以將粘接區(qū)內(nèi)的裸片推頂至第一位置；從第一側(cè)面向位于第一位置的裸片施加遠(yuǎn)離劃片膜的吸附力；去除多個(gè)推動(dòng)力中的至少一部分推動(dòng)力，以使裸片與劃片膜剝離。其中，裸片粘接在劃片膜的第一側(cè)面上的粘接區(qū)內(nèi)。

可選地，去除多個(gè)推動(dòng)力中的至少一部分推動(dòng)力的步驟包括：按照從粘接區(qū)的外周至中心的次序去除施加到粘接區(qū)的推動(dòng)力。

可選地，向第一側(cè)面的方向施加用于同步推動(dòng)劃片膜的粘接區(qū)的多個(gè)推動(dòng)力的步驟包括：利用推動(dòng)機(jī)構(gòu)的從外周至中心排布的多個(gè)推動(dòng)塊同步推動(dòng)粘接區(qū)。

可選地，去除多個(gè)推動(dòng)力中的至少一部分推動(dòng)力的步驟包括：按照從外周至中心的次序依次退回多個(gè)推動(dòng)塊，以按照從粘接區(qū)的外周至中心的次序去除施加到粘接區(qū)的推動(dòng)力。

可選地，該裸片拾取方法還包括：使粘接區(qū)處的氣壓大于劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓。

可選地，使粘接區(qū)處的氣壓大于劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓的步驟包括：在去除多個(gè)推動(dòng)力中的至少一部分推動(dòng)力時(shí)，向粘接區(qū)噴射氣體。

可選地，裸片包括被施加有吸附力的第一表面和相對于第一表面的第二表面；以及向粘接區(qū)噴射氣體的步驟包括：沿裸片的第二表面噴射氣體。

可選地，向粘接區(qū)噴射氣體的步驟包括：在噴射氣體之前，對氣體進(jìn)行去離子處理。

可選地，向粘接區(qū)噴射氣體的步驟包括：利用管口為噴氣槽的氣流導(dǎo)管噴射氣體，其中，管口的寬度與裸片的寬度相等。

可選地，使粘接區(qū)處的氣壓大于劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓的步驟包括：利用與第一側(cè)面密閉配合并容納裸片的氣壓室，通過增加氣壓室的氣壓使得粘接區(qū)處的氣壓大于劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓的步驟。

可選地，使粘接區(qū)處的氣壓大于劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓的步驟包括：在去除施加到粘接區(qū)的至少一部分的推動(dòng)力時(shí)，增加氣壓室內(nèi)的氣壓。