[發(fā)明專利]裸片拾取方法及裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011472641.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112599467B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳鵬;李明亮;曾心如;苗健 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京英思普睿知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 16018 | 代理人: | 劉瑩;聶國(guó)斌 |
| 地址: | 430000 湖北省武*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 拾取 方法 裝置 | ||
1.一種裸片拾取方法,其中,所述裸片粘接在劃片膜的第一側(cè)面上的粘接區(qū)內(nèi),其特征在于,所述方法包括:
在所述劃片膜的相對(duì)于所述第一側(cè)面的第二側(cè)面,向所述第一側(cè)面的方向施加用于同步推動(dòng)所述劃片膜的所述粘接區(qū)的多個(gè)推動(dòng)力,以將所述粘接區(qū)內(nèi)的所述裸片推頂至第一位置;
從所述第一側(cè)面向位于所述第一位置的所述裸片施加遠(yuǎn)離所述劃片膜的吸附力;
去除所述多個(gè)推動(dòng)力中的至少一部分推動(dòng)力;以及
使所述粘接區(qū)處的氣壓大于所述劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓,且所述粘接區(qū)處的氣壓的值與所述劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓的值之比在1至1.2之間,以使所述裸片與所述劃片膜剝離;
其中,所述劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓為標(biāo)準(zhǔn)氣壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述去除所述多個(gè)推動(dòng)力中的至少一部分推動(dòng)力的步驟包括:
按照從所述粘接區(qū)的外周至中心的次序去除施加到所述粘接區(qū)的所述推動(dòng)力。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述使所述粘接區(qū)處的氣壓大于所述劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓的步驟包括:
在所述去除所述多個(gè)推動(dòng)力中的至少一部分推動(dòng)力時(shí),向所述粘接區(qū)噴射氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述使所述粘接區(qū)處的氣壓大于所述劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓的步驟包括:
利用與所述第一側(cè)面密閉配合并容納所述裸片的氣壓室,通過(guò)增加所述氣壓室的氣壓使得所述粘接區(qū)處的氣壓大于所述劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓的步驟。
5.一種裸片拾取方法,其中,所述裸片粘接在劃片膜的第一側(cè)面上的粘接區(qū)內(nèi),其特征在于,所述方法包括:
在所述劃片膜的相對(duì)于所述第一側(cè)面的第二側(cè)面,向所述第一側(cè)面的方向施加用于推動(dòng)所述劃片膜的所述粘接區(qū)的推動(dòng)力,以將所述粘接區(qū)內(nèi)的所述裸片推頂至第一位置;
從所述第一側(cè)面向位于所述第一位置的所述裸片施加遠(yuǎn)離所述劃片膜的吸附力;以及
去除施加到所述粘接區(qū)的所述推動(dòng)力,并使所述粘接區(qū)處的氣壓大于所述劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓且所述粘接區(qū)處的氣壓的值與所述劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓的值之比在1至1.2之間,以使所述裸片與所述劃片膜剝離;
其中,所述劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓為標(biāo)準(zhǔn)氣壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,所述使粘接區(qū)處的氣壓大于所述劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓的步驟包括:
在所述去除施加到所述粘接區(qū)的所述推動(dòng)力時(shí),向所述粘接區(qū)噴射氣體。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,所述使所述粘接區(qū)處的氣壓大于所述劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓的步驟包括:
利用與所述第一側(cè)面密閉配合并容納所述裸片的氣壓室,通過(guò)增加所述氣壓室的氣壓使得所述粘接區(qū)處的氣壓大于所述劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓的步驟。
8.一種裸片拾取裝置,其特征在于,包括:
支撐臺(tái),用于支撐劃片膜,所述劃片膜的第一側(cè)面上的粘接區(qū)內(nèi)粘接有裸片;
推動(dòng)機(jī)構(gòu),位于所述支撐臺(tái)的內(nèi)部,包括從外周至中心排布的多個(gè)推動(dòng)塊,所述多個(gè)推動(dòng)塊被配置為從所述劃片膜的第二側(cè)面向所述第一側(cè)面的方向同步推動(dòng)所述劃片膜的所述粘接區(qū),以將所述粘接區(qū)內(nèi)的所述裸片推頂至第一位置,其中所述第二側(cè)面與所述第一側(cè)面相對(duì);以及
拾取機(jī)構(gòu),位于所述推動(dòng)機(jī)構(gòu)的上方,被配置為吸附由所述推動(dòng)機(jī)構(gòu)推頂至所述第一位置的所述裸片;
調(diào)壓機(jī)構(gòu),位于所述支撐臺(tái)的上方,所述調(diào)壓機(jī)構(gòu)被配置為使所述粘接區(qū)處的氣壓的值與所述劃片膜的所述第二側(cè)面處的氣壓的值之比在1至1.2之間,所述劃片膜的第二側(cè)面處的氣壓為標(biāo)準(zhǔn)氣壓;
其中,所述多個(gè)推動(dòng)塊還被配置為在所述拾取機(jī)構(gòu)吸附所述裸片后退回,以使所述裸片與所述劃片膜剝離。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置,其中,所述多個(gè)推動(dòng)塊被配置為按照從外周至中心的次序依次退回。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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