[發明專利]存儲結構、三維存儲器及其制造方法

在審

• 申請號: 202011466326.5
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112614839A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 張坤
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11519
• 分類號: H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 高園園

1.一種三維存儲器的制造方法，其特征在于，包括步驟：

提供第一襯底；

在所述第一襯底上形成堆棧結構，所述堆棧結構包括層疊交替的第一介電層和偽柵極層，且所述堆棧結構包括沿第一方向相鄰設置的臺階區和核心區，所述堆棧結構還包括沿第二方向相鄰設置的多個塊結構；

在所述塊結構的內部形成若干沿第三方向貫穿所述堆棧結構的柵線分隔槽，且所述柵線分隔槽沿著所述第一方向在所述臺階區和所述核心區內斷續分布；

沿著所述柵線分隔槽，去除所述偽柵極層，在所述塊結構的邊緣區域保留部分所述偽柵極層，并與所述第一介電層形成隔離結構，以將所述堆棧結構劃分為多個所述塊結構；

其中，在所述堆棧結構的堆棧平面內，所述第二方向垂直于所述第一方向，且所述第三方向同時垂直于所述第二方向與所述第一方向。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，在形成所述堆棧結構之后，在形成所述柵線分隔槽之前，所述三維存儲器的制造方法還包括步驟：

在所述臺階區中形成臺階結構，所述臺階結構包括多級臺階；

形成第二介電層，所述第二介電層覆蓋所述臺階結構和所述核心區；

在所述核心區中形成導電溝道結構。

3.根據權利要求2所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，若干所述柵線分隔槽按照交替設置的第一間距和第二間距在所述第二方向上間隔排列，在所述第二方向上將所述偽柵極層劃分為長度為所述第一間距和所述第二間距的若干偽柵極段，所述第一間距小于所述第二間距。

4.根據權利要求3所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，在形成所述柵線分隔槽之后，在刻蝕去除所述偽柵極層之前，所述三維存儲器的制造方法還包括步驟：

形成頂部隔絕結構，所述頂部隔絕結構與所述隔離結構將所述堆棧結構劃分為多個所述塊結構。

5.根據權利要求4所述的存儲結構的制造方法，其特征在于，形成所述頂部隔絕結構的步驟包括：

刻蝕所述堆棧結構，形成若干隔絕槽，所述隔絕槽沿著所述第一方向在所述臺階區和所述核心區內延伸，若干所述隔絕槽在所述第二方向上間隔排列，且每個所述隔絕槽沿著所述第三方向在所述堆棧結構上的投影位于長度為所述第二間距的所述偽柵極段的中部；

填充所述隔絕槽，形成所述頂部隔絕結構。

6.根據權利要求5所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述隔絕槽貫穿所述堆棧結構頂部的若干所述第一介電層和若干所述偽柵極層。

7.根據權利要求6所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，沿著所述柵線分隔槽，刻蝕去除所述偽柵極層時，在所述第二方向上，長度為所述第一間距的所述偽柵極段被完全去除，長度為所述第二間距的所述偽柵極段保留有一定寬度。

8.根據權利要求7所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述三維存儲器的制造方法還包括步驟：

沿著所述柵線分隔槽，在所述偽柵極層的去除部位替換形成柵極層；

填充所述柵線分隔槽，形成柵線分隔結構。

9.根據權利要求8所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述三維存儲器的制造方法還包括：

形成第一導電插塞及第二導電插塞，所述第一導電插塞及所述第二導電插塞均設置在所述第二介電層中，若干所述第一導電插塞貫穿所述第二介電層與所述臺階一一對應連接，所述第二導電插塞貫穿所述第二介電層至所述襯底；

形成第一鍵合接觸部，所述第一鍵合接觸部引出所述第一導電插塞、所述第二導電插塞及所述導電溝道結構。

10.根據權利要求9所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述三維存儲器的制造方法還包括：

形成驅動控制結構，所述驅動控制結構包括第二襯底、驅動電路及第二鍵合接觸部，所述驅動電路及所述第二鍵合接觸部設置在所述第二襯底的正面上，所述第二鍵合接觸部引出所述驅動電路；將所述第二鍵合接觸部與所述第一鍵合接觸部的鍵合連接。