[發(fā)明專利]HJT太陽能電池TCO薄膜、其制備方法及包含該薄膜的電池片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011465226.0 | 申請日: | 2020-12-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112687753A | 公開(公告)日: | 2021-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 解觀超;王永謙;林綱正;陳剛 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江愛旭太陽能科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司: | 廣州知友專利商標(biāo)代理有限公司 44104 | 代理人: | 高文龍 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | hjt 太陽能電池 tco 薄膜 制備 方法 包含 電池 | ||
本發(fā)明公開了HJT太陽能電池TCO薄膜、其制備方法及包含該薄膜的電池片,該TCO薄膜包含第一膜層、第二膜層及第三膜層,第二膜層位于第一膜層與第三膜層之間,所述第一膜層的透光率大于第三膜層,第一膜層的導(dǎo)電率小于第三膜層,所述第二膜層的透光率及導(dǎo)電率介于第一膜層及第二膜層之間。該TCO薄膜中各膜層的透光率和導(dǎo)電率不同,通過改善光透過率與導(dǎo)電性能的匹配,提高HJT電池的電性能。本發(fā)明同時(shí)公開了該TCO薄膜的制備方法及包含該薄膜的電池片。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電池結(jié)構(gòu)及其制備方法,具體是指HJT太陽能電池TCO薄膜、其制備方法及包含該薄膜的電池片。
背景技術(shù)
能源是現(xiàn)代社會(huì)發(fā)展的基石,隨著全球經(jīng)濟(jì)社會(huì)的不斷發(fā)展,能源消費(fèi)也持續(xù)增長,隨著時(shí)間的變遷,化石能源越來越來稀缺,在化石能源緊張的背景下,大規(guī)模的開發(fā)和發(fā)明可再生資源已成為未來能源的重要戰(zhàn)略,太陽能是最潔凈的清潔能源,可再生能源。
太陽能電池是太陽能發(fā)電的核心部分,HJT太陽能電池作為新型的太陽能電池,其TCO薄膜對電池的電性能具有重要作用。
現(xiàn)有HJT太陽能電池TCO薄膜一般采用PVD沉積法,在電池襯底雙面鍍膜。但是現(xiàn)有HJT太陽能電池TCO薄膜上靶材1-n號(hào)靶材采用相同的In2O3/SnO2比,下靶材1-n號(hào)靶材也采用相同的In2O3/SnO2比,制作的TCO薄膜層材質(zhì)成分單一,不能將TCO薄膜的光透過率與導(dǎo)電性能匹配最優(yōu)化,不能獲得最佳的太陽能電池性能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一是提供一種HJT太陽能電池TCO薄膜,該TCO薄膜中各膜層的透光率和導(dǎo)電率不同,通過改善光透過率與導(dǎo)電性能的匹配,提高HJT電池的電性能。
本發(fā)明的這一目的通過如下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:HJT太陽能電池TCO薄膜,包含第一膜層、第二膜層及第三膜層,第二膜層位于第一膜層與第三膜層之間,其特征在于,所述第一膜層的透光率大于第三膜層,第一膜層的導(dǎo)電率小于第三膜層,所述第二膜層的透光率及導(dǎo)電率介于第一膜層及第二膜層之間。
本發(fā)明的TCO薄膜,第一膜層為光透過率高膜層,第二膜層為光透過率與導(dǎo)電性能兼顧膜層,第三膜層為導(dǎo)電性能好膜層,各膜層采用不同的靶材制成,使得TCO薄膜具有不同的光透過率和導(dǎo)電性。
本發(fā)明中,所述第一膜層由In2O3/SnO2質(zhì)量比為99:10的靶材制成;所述第二膜層由In2O3/SnO2質(zhì)量比為99:1的靶材制成。
本發(fā)明中,所述TCO薄膜為正面TCO薄膜,所述的第二膜層為復(fù)合層,由第四膜層及第五膜層復(fù)合而成,其中,第四膜層與第三膜層相貼附,第四膜層由In2O3/SnO2質(zhì)量比為95:5的靶材制成;第五膜層與第一膜層相貼附,第五膜層由In2O3/WO3質(zhì)量比為99:1的靶材制成。
該正面TCO薄膜的中間膜層為復(fù)合層,由第四膜層及第五膜層復(fù)合而成,其中,第四膜層為內(nèi)層光透過率與導(dǎo)電性能兼顧膜層,第五膜層為外層光透過率與導(dǎo)電性能兼顧膜層。
本發(fā)明中,所述TCO薄膜為背面TCO薄膜,所述的第一膜層由In2O3/WO3質(zhì)量比為99:1的靶材制成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





