[發明專利]DMOS器件的層間介質層及其制作方法

在審

• 申請號: 202011463387.6
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112635329A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 付超群;許雋;金立培
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本申請涉及半導體集成電路制造技術領域，具體涉及一種DMOS器件的層間介質層及其制作方法。DMOS器件層間介質層的制作方法包括：提供半導體DMOS器件；在所述DMOS器件上淀積富硅氧化物薄膜層；在所述富硅氧化物薄膜層上淀積二氧化硅薄膜層。通過該DMOS器件層間介質層的制作方法制作出本申請另一方面涉及的DMOS器件的層間介質層。本申請提供的DMOS器件對層間介質層護層作用的要求。能夠滿足DMOS器件對層間介質層護層作用的要求。

技術領域

本申請涉及半導體集成電路制造技術領域，具體涉及一種DMOS器件的層間介質層及其制作方法。

背景技術

對于IC器件來說，通常將二氧化硅介質層作為硅上有源器件與第一金屬層之間的層間介質層(ILD，Inter Layer Dielectric)，層間介質層可阻擋后段工藝及空氣中的可移動粒子(如Na+/K+/Ca+)等雜質源，起到隔離晶體管器件和互聯金屬層的作用，防止其影響晶體管器件性能。

隨著集成電路工藝技術的提升和摩爾定律，雙擴散金屬氧化半導體(DMOS，Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)功率器件已經可成功從8英寸工藝生產線轉至12英寸工藝生產線。

在8英寸工藝生產線中，DMOS功率器件的層間介質層通常使用摻雜硼磷硅化玻璃(BPSG，Boro Phosphor Silicate Glass)作為絕緣層，以捕捉可移動粒子(主要是Na+/K+/Ca+)和吸雜，起到護層的作用。

但是在12英寸工藝生產線中，以BPSG作為的層間介質層，其起到的護層作用有限。

發明內容

本申請提供了一種DMOS器件的層間介質層及其制作方法，以適應12英寸工藝生產線中，DMOS器件對層間介質層護層作用的要求。

作為本申請的第一方面，提供一種DMOS器件層間介質層的制作方法，所述DMOS器件層間介質層的制作方法包括：

提供半導體DMOS器件；

在所述DMOS器件上淀積富硅氧化物薄膜層；

在所述富硅氧化物薄膜層上淀積二氧化硅薄膜層。

可選的，所述在所述DMOS器件上淀積富硅氧化物薄膜層的步驟，包括：

以硅烷和一氧化二氮為反應源，采用等離子體增強化學氣相沉積工藝，在所述DMOS器件上淀積富硅氧化物薄膜層。

可選的，所述在所述富硅氧化物薄膜層上淀積二氧化硅薄膜層的步驟，包括：

以四氧乙基硅氧烷和臭氧為反應源，采用等離子體增強化學氣相沉積工藝，在所述富硅氧化物薄膜層上淀積二氧化硅薄膜層。

可選的，所述富硅氧化物薄膜層的厚度為1000A至2000A。

可選的，所述二氧化硅薄膜層的厚度為7000A至11000A。

可選的，所述富硅氧化物薄膜層的折射率為1.54～1.65。

作為本申請的第二方面，提供一種DMOS器件的層間介質層，所述DMOS器件的層間介質層通過如本申請第一方面所述的DMOS器件層間介質層的制作方法制作而成。

本申請技術方案，至少包括如下優點：通過提供半導體DMOS器件；在所述DMOS器件上淀積富硅氧化物薄膜層；在所述富硅氧化物薄膜層上淀積二氧化硅薄膜層制作工藝，所形成的DMOS器件層間介質層，由于該層間介質層的富硅氧化物薄膜層中形成有硅原子懸掛鍵，在后段工藝及空氣中形成的可移動離子如Na+/K+/Ca+等，向下移動至該富硅氧化物薄膜層時，該富硅氧化物薄膜層中的懸掛鍵能夠捕捉上述可移動離子，起到雜質阻擋作用，防止對DMOS器件性能造成不利影響。

附圖說明