[發明專利]DMOS器件的層間介質層及其制作方法在審
| 申請號： | 202011463387.6 | 申請日： | 2020-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN112635329A | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發明（設計）人： | 付超群;許雋;金立培 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | dmos 器件 介質 及其 制作方法 | ||
1.一種DMOS器件層間介質層的制作方法，其特征在于，所述DMOS器件層間介質層的制作方法包括：
提供半導體DMOS器件；
在所述DMOS器件上淀積富硅氧化物薄膜層；
在所述富硅氧化物薄膜層上淀積二氧化硅薄膜層。
2.如權利要求1所述的DMOS器件層間介質層的制作方法，其特征在于，所述在所述DMOS器件上淀積富硅氧化物薄膜層的步驟，包括：
以硅烷和一氧化二氮為反應源，采用等離子體增強化學氣相沉積工藝，在所述DMOS器件上淀積富硅氧化物薄膜層。
3.如權利要求1所述的DMOS器件層間介質層的制作方法，其特征在于，所述在所述富硅氧化物薄膜層上淀積二氧化硅薄膜層的步驟，包括：
以四氧乙基硅氧烷和臭氧為反應源，采用等離子體增強化學氣相沉積工藝，在所述富硅氧化物薄膜層上淀積二氧化硅薄膜層。
4.如權利要求1所述的DMOS器件層間介質層的制作方法，其特征在于，所述富硅氧化物薄膜層的厚度為1000A至2000A。
5.如權利要求1所述的DMOS器件層間介質層的制作方法，其特征在于，所述二氧化硅薄膜層的厚度為7000A至11000A。
6.如權利要求1所述的DMOS器件層間介質層的制作方法，其特征在于，所述富硅氧化物薄膜層的折射率為1.54～1.65。
7.一種DMOS器件的層間介質層，其特征在于，所述DMOS器件的層間介質層通過如權利要求1至權利要求6中任一項所述的DMOS器件層間介質層的制作方法制作而成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
