[發明專利]晶圓定位裝置及晶圓減薄機有效
| 申請號: | 202011463349.0 | 申請日: | 2020-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN112635383B | 公開(公告)日: | 2023-09-12 |
| 發明(設計)人: | 翟慧敏;裴少帥;蘇亞青;呂劍 | 申請(專利權)人: | 華虹半導體(無錫)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 214028 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 定位 裝置 晶圓減薄機 | ||
1.一種晶圓定位裝置,其特征在于,所述晶圓定位裝置包括:
操作臺,所述操作臺包括定位區;所述定位區中設有定位旋轉移行裝置,所述定位旋轉移行裝置包括用于吸附目標晶圓的吸附面;
所述定位旋轉移行裝置能夠沿著平行于所述吸附面的直線移行;所述定位旋轉移行裝置能夠沿著中心轉軸旋轉,所述中心轉軸位于所述定位旋轉移行裝置的中心,且垂直于所述吸附面;
邊緣檢測裝置,所述邊緣檢測裝置設于所述定位旋轉移行裝置移行路線的端部;用于檢測目標晶圓的邊緣;
吸附懸臂,所述吸附懸臂包括旋轉端和延伸端,所述延伸端設有吸盤,所述旋轉端設有旋轉臂,所述旋轉臂能夠帶動所述吸附懸臂轉動,所述吸盤的工作面平行于所述吸附面;
其中,所述定位區開設有條形槽,所述邊緣檢測裝置位于所述條形槽的端部;所述定位旋轉移行裝置位于所述條形槽中,能夠沿著所述條形槽移動;
其中,所述操作臺還包括操作區,所述吸附懸臂在所述旋轉臂的帶動下,能夠在所述定位區和所述操作區之間來回轉動;
所述晶圓定位裝置被配置為:
利用所述定位旋轉移行裝置帶動所述目標晶圓,移行至第一位置;在第一位置處,利用所述邊緣檢測裝置檢測所述目標晶圓的邊緣:根據所述目標晶圓的邊緣轉動軌跡計算出所述目標晶圓的中心位置;利用所述吸附懸臂的吸盤吸附晶圓的上表面以使目標晶圓離開所述定位旋轉移行裝置的吸附面;根據計算所得所述目標晶圓的中心位置,將定位旋轉移行裝置移動至第二位置,其中,所述第二位置與所述目標晶圓的中心位置重合;撤去所述吸盤對所述目標晶圓的吸附力,利用定位旋轉移行裝置在所述目標晶圓的中心位置處吸附所述目標晶圓的下表面;利用定位旋轉移行裝置帶動該目標晶圓轉動以使所述目標晶圓的邊緣標記朝向特定位置。
2.如權利要求1所述的晶圓定位裝置,其特征在于,所述邊緣檢測裝置包括相對設置的檢測信號發射裝置和檢測信號接收裝置,所述檢測信號發射裝置和檢測信號接收裝置之間為檢測空間,目標晶圓能夠旋轉穿過所述檢測空間。
3.如權利要求1所述的晶圓定位裝置,其特征在于,所述晶圓定位裝置還包括控制裝置,所述控制裝置連接所述定位旋轉移行裝置,使得所述定位旋轉移行裝置根據控制信號移動和轉動;
所述控制裝置連接所述邊緣檢測裝置,使得所述邊緣檢測裝置根據控制信號檢測目標晶圓的邊緣標記;
所述控制裝置連接所述吸附懸臂的旋轉臂,使得所述旋轉臂根據控制信號轉動。
4.如權利要求1所述的晶圓定位裝置,其特征在于,所述吸附面形成真空吸口。
5.如權利要求1所述的晶圓定位裝置,其特征在于,所述定位旋轉移行裝置的吸附面,與所述吸附懸臂吸盤的工作面相對。
6.如權利要求1所述的晶圓定位裝置,其特征在于,所述吸盤通過伸縮臂設于所述吸附懸臂的延伸端。
7.一種晶圓減薄機,其特征在于,所述晶圓減薄機包括如權利要求1至6中任一項所述的晶圓定位裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





