[發明專利]閃存的數據保持力測試方法

有效

• 申請號: 202011463234.1
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112652352B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 吳志濤;徐杰;李小康;張家瑞
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種閃存的數據保持力測試方法，其特征在于：閃存的存儲陣列由多個存儲單元行列排列而成，各所述存儲單元在編程時在編程電壓的作用下會在各所述存儲單元的浮柵中注入電子；所述閃存的編程數據保持力測試包括如下步驟：

步驟一、選定多個存儲單元，對多個所述存儲單元進行弱編程，所述弱編程對應的弱編程電壓小于所述編程電壓，所述弱編程電壓使得所述弱編程后的所述存儲單元的浮柵中注入的電子數量小于所述編程后的所述存儲單元的浮柵中注入的電子數量；

步驟二、測量經過所述弱編程后的各所述存儲單元的第一單元電流，各所述存儲單元的第一單元電流具有分散性；

步驟三、對所述弱編程后的各所述存儲單元進行用于性能退化的應力作用；

步驟四、測量經過所述應力作用的各所述存儲單元的第二單元電流；

步驟五、計算各所述存儲單元對應的第二單元電流和第一單元電流的差值并作為單元電流增加值；

步驟六、以各所述存儲單元的所述第一單元電流為X值，以各所述存儲單元的所述單元電流增加值為Y值，進行X值和Y值的曲線擬合并將擬合結果作為編程數據保持力的測試結果。

2.如權利要求1所述的閃存的數據保持力測試方法，其特征在于：步驟六中，Y值和X值呈線性關系，所述擬合結果為擬合曲線的斜率。

3.如權利要求1所述的閃存的數據保持力測試方法，其特征在于：所述存儲單元的編程采用源端熱電子注入編程。

4.如權利要求3所述的閃存的數據保持力測試方法，其特征在于：所述存儲單元采用雙分離柵結構。

5.如權利要求4所述的閃存的數據保持力測試方法，其特征在于：所述閃存的存儲陣列為NOR型。

6.如權利要求5所述的閃存的數據保持力測試方法，其特征在于：步驟一中，以扇區為單位選定的所述存儲單元。

7.如權利要求4所述的閃存的數據保持力測試方法，其特征在于：所述存儲單元包括第一源漏區、第一柵極結構、第二柵極結構、第三柵極結構和第二源漏區；

所述第一柵極結構包括第一隧穿柵介質層、第一浮柵、第一控制柵介質層，第一控制柵；

所述第二柵極結構包括柵介質層和柵極導電材料層；

所述第三柵極結構包括第二隧穿柵介質層、第二浮柵、第二控制柵介質層，第二控制柵；

所述第一柵極結構、所述第二柵極結構和所述第三柵極結構覆蓋在溝道區的表面并分別控制所述溝道區的第一部分、第二部分和第三部分；

所述第一柵極結構和所述第三柵極結構對稱設置在所述第二柵極結構兩側；

所述第一源漏區和所述第二源漏區對稱設置在所述溝道區的兩側；

所述第一浮柵作為所述存儲單元的第一存儲位，所述第二浮柵作為所述存儲單元的第二存儲位。

8.如權利要求7所述的閃存的數據保持力測試方法，其特征在于：所述溝道區為P型摻雜；所述第一源漏區和所述第二源漏區都為N型重摻雜。

9.如權利要求7所述的閃存的數據保持力測試方法，其特征在于：所述第一浮柵、所述第一控制柵、所述柵極導電材料層、所述第二浮柵和所述第二控制柵的材料都為多晶硅。

10.如權利要求7所述的閃存的數據保持力測試方法，其特征在于：所述第一隧穿柵介質層、所述柵介質層和所述第二隧穿柵介質層的材料都為氧化層；所述第一控制柵介質層和所述第二控制柵介質層的材料為氧化層或氮化層。

11.如權利要求8所述的閃存的數據保持力測試方法，其特征在于：對所述第一存儲位進行編程時，所述柵極導電材料層連接使所述溝道區的第一部分導通的電壓，所述第二控制柵連接使所述溝道區的第三部分導通的電壓；所述第一源漏區連接編程位線電壓，所述第二源漏區連接編程源極電流，所述第一控制柵連接編程控制柵電壓；

對所述第二存儲位進行編程時電連接關系和對所述第一存儲位進行編程正好對稱。