[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件制備方法及半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011462122.4
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112242433A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李馬惠;宋曉棟;師宇晨;張海超
• 申請（專利權(quán)）人: 陜西源杰半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/82
• 代理公司: 北京華進京聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11606
• 代理人: 樊春燕

本申請涉及一種半導(dǎo)體器件制備方法及半導(dǎo)體器件。首先提供基板；然后在所述基板表面形成電流選擇層；沿著所述基板的延伸方向，所述電流選擇層包括間隔設(shè)置的高阻態(tài)區(qū)和低阻態(tài)區(qū)，所述高阻態(tài)區(qū)和所述低阻態(tài)區(qū)通過光刻工藝制成。最后在所述電流選擇層遠離所述基板的一側(cè)形成有源層，其中，沿著所述基板延伸的方向，所述有源層包括多個間隔設(shè)置的無增益區(qū)和有增益區(qū)，所述高阻態(tài)區(qū)與所述無增益區(qū)一一對應(yīng)，所述低阻態(tài)區(qū)與所述有增益區(qū)一一對應(yīng)。因此所述半導(dǎo)體器件制備方法不必考慮設(shè)置隔離器，從而減少了制備流程，提高了工作效率。進一步地，所述半導(dǎo)體器件還有效的降低半導(dǎo)體器件對端面波的敏感性。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件制備方法及半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

為了滿足人們?nèi)找嬖鲩L的高速數(shù)據(jù)流量的需求，適應(yīng)萬物互聯(lián)，人工智能及云計算的需求，大力推進5G技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)越來越緊迫。

5G業(yè)務(wù)場景對網(wǎng)絡(luò)提出了低延遲、大帶寬與易布置的全新要求。為了實現(xiàn)低時延，其核心之一就需要開發(fā)出25G/50G通訊用高速調(diào)制與高純單模半導(dǎo)體芯片，即大邊模抑制比的25G及以上半導(dǎo)體芯片。目前在半導(dǎo)體芯片制備時通常需要考慮配合使用隔離器防止半導(dǎo)體擾動引起傳輸誤碼，這導(dǎo)致了半導(dǎo)體器件的制備方法較為復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件制備方法及半導(dǎo)體器件。

一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：

提供基板；

在所述基板表面形成電流選擇層；沿著所述基板的延伸方向，所述電流選擇層包括間隔設(shè)置的高阻態(tài)區(qū)和低阻態(tài)區(qū)，所述高阻態(tài)區(qū)和所述低阻態(tài)區(qū)通過光刻工藝制成；

在所述電流選擇層遠離所述基板的一側(cè)形成有源層，其中，沿著所述基板延伸的方向，所述有源層包括多個間隔設(shè)置的無增益區(qū)和有增益區(qū)，所述高阻態(tài)區(qū)與所述無增益區(qū)一一對應(yīng)，所述低阻態(tài)區(qū)與所述有增益區(qū)一一對應(yīng)。

在一個實施例中，所述在所述基板表面形成電流選擇層包括：

在所述基板表面依次形成阻態(tài)形成層和第一包層；

通用光刻工藝，刻蝕所述第一包層與所述阻態(tài)形成層，形成所述電流選擇層。

一種半導(dǎo)體器件，包括：

基板；

電流選擇層，設(shè)置于所述基板的表面；沿著所述基板的延伸方向，所述電流選擇層包括間隔設(shè)置的高阻態(tài)區(qū)和低阻態(tài)區(qū)；

有源層，設(shè)置于所述電流選擇層遠離所述基板的一側(cè)，沿著所述基板延伸的方向，所述有源層包括多個間隔設(shè)置的無增益區(qū)和有增益區(qū)，所述高阻態(tài)區(qū)與所述無增益區(qū)一一對應(yīng)，所述低阻態(tài)區(qū)與所述有增益區(qū)一一對應(yīng)。

在一個實施例中，所述電流選擇層包括：

阻態(tài)形成層，設(shè)置于所述基板的表面；所述阻態(tài)形成層包括多個間隔設(shè)置的凸起結(jié)構(gòu)，所述凸起結(jié)構(gòu)所在的區(qū)域形成所述高阻態(tài)區(qū)，所述凸起結(jié)構(gòu)和相鄰的所述凸起結(jié)構(gòu)之間形成所述低阻態(tài)區(qū)；以及

第一包層，設(shè)置于所述阻態(tài)形成層遠離所述基板的一側(cè)。

在一個實施例中，所述凸起結(jié)構(gòu)包括Fe摻雜In_1-xGa_xAs_yP_1-y材料，其中，x的取值范圍是0.00~0.6，y的取值范圍是0.00~0.95。

在一個實施例中，所述Fe摻雜In_1-xGa_xAs_yP_1-y材料中，x為0.258，y為0.468。