[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件制備方法及半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011462122.4
• 申請(qǐng)日: 2020-12-14
• 公開（公告）號(hào): CN112242433A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李馬惠;宋曉棟;師宇晨;張海超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 陜西源杰半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L21/82
• 代理公司: 北京華進(jìn)京聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11606
• 代理人: 樊春燕

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板表面形成電流選擇層；沿著所述基板的延伸方向，所述電流選擇層包括多個(gè)間隔設(shè)置的高阻態(tài)區(qū)和低阻態(tài)區(qū)，所述高阻態(tài)區(qū)和所述低阻態(tài)區(qū)通過光刻工藝制成；

在所述電流選擇層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成有源層，其中，沿著所述基板延伸的方向，所述有源層包括多個(gè)間隔設(shè)置的無增益區(qū)和有增益區(qū)，所述高阻態(tài)區(qū)與所述無增益區(qū)一一對(duì)應(yīng)，所述低阻態(tài)區(qū)與所述有增益區(qū)一一對(duì)應(yīng)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述在所述基板表面形成電流選擇層包括：

在所述基板表面依次形成阻態(tài)形成層和第一包層；

通用光刻工藝，刻蝕所述第一包層與所述阻態(tài)形成層，形成所述電流選擇層。

3.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

基板；

電流選擇層，設(shè)置于所述基板的表面；沿著所述基板的延伸方向，所述電流選擇層包括間隔設(shè)置的高阻態(tài)區(qū)和低阻態(tài)區(qū)；

有源層，設(shè)置于所述電流選擇層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，沿著所述基板延伸的方向，所述有源層包括多個(gè)間隔設(shè)置的無增益區(qū)和有增益區(qū)，所述高阻態(tài)區(qū)與所述無增益區(qū)一一對(duì)應(yīng)，所述低阻態(tài)區(qū)與所述有增益區(qū)一一對(duì)應(yīng)。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述電流選擇層包括：

阻態(tài)形成層，設(shè)置于所述基板的表面；所述阻態(tài)形成層包括多個(gè)間隔設(shè)置的凸起結(jié)構(gòu)，所述凸起結(jié)構(gòu)所在的區(qū)域形成所述高阻態(tài)區(qū)，所述凸起結(jié)構(gòu)和相鄰的所述凸起結(jié)構(gòu)之間形成所述低阻態(tài)區(qū)；以及

第一包層，設(shè)置于所述阻態(tài)形成層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述凸起結(jié)構(gòu)包括Fe摻雜In_1-xGa_xAs_yP_1-y材料，其中，x的取值范圍是0.00~0.6，y的取值范圍是0.00~0.95。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述Fe摻雜In_1-xGa_xAs_yP_1-y材料中，x為0.258，y為0.468。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述Fe摻雜In_1-xGa_xAs_yP_1-y材料中，F(xiàn)e摻雜濃度D_Fe為5e16 cm^-3~2e18 cm^-3。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述Fe摻雜In_1-xGa_xAs_yP_1-y材料中，F(xiàn)e摻雜濃度為1.5e18 cm^-3。

9.如權(quán)利要求4-8任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括第二包層，所述第二包層設(shè)置于所述第一包層和所述有源層之間。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括第三包層和接觸層，依次設(shè)置于所述有源層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)。

11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述阻態(tài)形成層的厚度T_g為10nm~500nm，所述第一包層的厚度T_c為5nm~200nm，所述第二包層厚度T_b為0nm~500nm。