[發明專利]分層電磁屏蔽封裝結構和封裝結構制作方法

有效

• 申請號: 202011462008.1
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112234047B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 孔德榮;鐘磊;李利
• 申請（專利權）人: 甬矽電子（寧波）股份有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/31;H01L25/16;H01L25/18;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 張洋

1.一種分層電磁屏蔽封裝結構，其特征在于，包括模組基板、屏蔽器件和多個芯片，多個所述芯片間隔設置在所述模組基板上，至少兩個相鄰的所述芯片之間設有所述屏蔽器件；

所述屏蔽器件包括層疊設置的底部屏蔽層、中間層和頂部屏蔽層，所述模組基板上設有第一接地點和第二接地點，所述底部屏蔽層與所述第一接地點電性連接，所述頂部屏蔽層與所述第二接地點電性連接；所述中間層采用絕緣材料；

所述模組基板上設有第一封裝體，用于塑封所述屏蔽器件和多個所述芯片，所述第一封裝體表面的外表面設有金屬層，所述底部屏蔽層和所述頂部屏蔽層分別與所述金屬層電性連接。

2.根據權利要求1所述的分層電磁屏蔽封裝結構，其特征在于，所述底部屏蔽層和所述頂部屏蔽層分別包括第一基板，所述第一基板的正面設有第一焊盤，所述第一基板的反面設有第二焊盤，所述第一焊盤和所述第二焊盤電性連接；

所述底部屏蔽層的所述第一焊盤和所述第二焊盤兩者中，其中一個與所述第一接地點電性連接，另一個與所述金屬層電性連接；所述頂部屏蔽層的所述第一焊盤和所述第二焊盤兩者中，其中一個與所述第二接地點電性連接，另一個與所述金屬層電性連接。

3.根據權利要求2所述的分層電磁屏蔽封裝結構，其特征在于，所述第一焊盤連接有金屬柱，所述金屬柱與所述第一接地點或所述第二接地點電性連接；所述第一基板上設有第二封裝體，用于塑封所述金屬柱。

4.根據權利要求3所述的分層電磁屏蔽封裝結構，其特征在于，所述第二封裝體的塑封料中設有導電顆粒。

5.根據權利要求1所述的分層電磁屏蔽封裝結構，其特征在于，所述中間層采用阻擋塊，所述阻擋塊的一側與所述底部屏蔽層連接，另一側與所述頂部屏蔽層連接。

6.根據權利要求5所述的分層電磁屏蔽封裝結構，其特征在于，所述阻擋塊上開設有通孔。

7.根據權利要求5所述的分層電磁屏蔽封裝結構，其特征在于，所述阻擋塊包括第二基板和設于所述第二基板上的第三封裝體，所述第二基板和所述第三封裝體兩者中，其中一個與所述底部屏蔽層連接，另一個與所述頂部屏蔽層連接。

8.一種封裝結構制作方法，其特征在于，包括：

制作屏蔽器件，所述屏蔽器件包括底部屏蔽層、中間層和頂部屏蔽層；

提供模組基板，所述模組基板上設置第一接地點和第二接地點；

在所述模組基板上間隔貼裝多個芯片，在至少兩個相鄰的所述芯片之間貼裝所述屏蔽器件，其中，所述底部屏蔽層貼裝在所述模組基板上，所述中間層疊裝于所述底部屏蔽層遠離所述模組基板的一側，所述頂部屏蔽層疊裝于所述中間層遠離所述底部屏蔽層的一側；且所述底部屏蔽層與所述第一接地點電性連接，所述頂部屏蔽層與所述第二接地點電性連接；所述中間層采用絕緣材料；

在所述模組基板的一側形成第一封裝體，以塑封所述屏蔽器件和多個所述芯片；在所述第一封裝體表面的外表面設置金屬層，所述底部屏蔽層和所述頂部屏蔽層分別與所述金屬層電性連接。

9.根據權利要求8所述的封裝結構制作方法，其特征在于，所述制作屏蔽器件的步驟包括：

制作所述底部屏蔽層和所述頂部屏蔽層的步驟分別包括：

提供第一基板，在所述第一基板的正面設置第一焊盤，在所述第一基板的反面設置第二焊盤，所述第一焊盤和所述第二焊盤電性連接；

在所述第一焊盤上設置金屬柱，所述金屬柱用于與所述第一接地點或所述第二接地點電性連接；

在所述第一基板遠離所述第二焊盤的一側設置第二封裝體，以塑封所述金屬柱，且所述金屬柱露出所述第二封裝體；

制作所述中間層的步驟包括：

提供第二基板，在所述第二基板上設置第三封裝體，所述第二基板和所述第三封裝體兩者中，其中一個與所述底部屏蔽層連接，另一個與所述頂部屏蔽層連接。

10.根據權利要求9所述的封裝結構制作方法，其特征在于，所述制作所述中間層的步驟還包括：

在所述第三封裝體上開設通孔。