[發明專利]一種電光器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202011460458.7
• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN112558217A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 楊妍
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G02B6/10
• 分類號: G02B6/10;G02B6/12;G02B6/124;G02B6/136
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

本發明公開了一種電光器件及其制造方法，涉及光器件制造技術領域，以減小電光器件在使用過程中半導體襯底的微波損耗，進而提高電光器件的帶寬和數據率。該電光器件包括：基底，該基底包括襯底，以及形成在襯底上的光波導；沿基底的厚度方向，基底上形成有貫穿襯底的第一開口槽，第一開口槽與光波導相對設置；第一開口槽內填充有空氣或低介電損耗材料，低介電損耗材料的介電損耗因子小于襯底的介電損耗因子。

技術領域

本發明涉及光器件制造技術領域，特別是涉及一種電光器件及其制造方法。

背景技術

電光器件為集成在半導體襯底上，由電學組件和光子組件組成的器件。通常，在電光器件的使用過程中，半導體襯底會造成介電損耗，進而造成微波損耗。當半導體襯底存在微波損耗的情況下，會制約電光器件的帶寬和數據率。

發明內容

本發明的目的在于提供一種電光器件及電光器件的制造方法，以減小電光器件在使用過程中半導體襯底的微波損耗，進而提高電光器件的帶寬和數據率。

為了實現上述目的，第一方面，本發明提供一種電光器件，包括：基底，該基底包括襯底，以及形成在襯底上的光波導；沿基底的厚度方向，基底上形成有貫穿襯底的第一開口槽，第一開口槽與光波導相對設置；第一開口槽內填充有空氣或低介電損耗材料，低介電損耗材料的介電損耗因子小于襯底的介電損耗因子。

與現有技術相比，本發明提供的電光器件的基底上形成有貫穿襯底的第一開口槽。該第一開口槽與光波導相對設置，也就是說，該第一開口槽形成在光波導的下方，且該第一開口槽內填充有空氣或低介電損耗材料。而空氣或低介電損耗材料的介電損耗因子小于襯底的介電損耗因子，故在電光器件的使用過程中，本發明相較于現有技術，能夠減少襯底造成的介電損耗，從而降低襯底造成的微波損耗，進而提高了電光器件的帶寬和數據率。

第二方面，本發明還提供一種電光器件的制造方法，包括：提供一基底，基底包括襯底、以及形成在襯底上的光波導；沿基底的厚度方向，形成貫穿襯底的第一開口槽；其中，第一開口槽與光波導相對設置；在第一開口槽內填充有空氣或低介電損耗材料；低介電損耗材料的微波損耗小于襯底的微波損耗。

與現有技術相比，本發明提供的電光器件的制造方法的有益效果與上述技術方案的光器件的有益效果相同，在此不做贅述。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1是現有技術中的電光器件結構示意圖；

圖2是本發明實施例提供的電光器件結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的一種電光器件制造方法的流程圖；

圖4-圖8為本發明實施例一種電光器件制造方法中各個步驟形成的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。

在附圖中示出本發明實施例的各種示意圖，這些圖并非按比例繪制。其中，為了清楚明白的目的，放大了某些細節，并且可能省略了某些細節。圖中所示出的各種區域、層的形狀以及它們之間的相對大小、位置關系僅是示例性的，實際中可能由于制造公差或技術限制而有所偏差，并且本領域技術人員根據實際所需可以另外設計具有不同形狀、大小、相對位置的區域/層。

以下，術語“第一”、“第二”等僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隱含地包括一個或更多個該特征。在本申請的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。