[發明專利]一種電光器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202011460458.7
• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN112558217A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 楊妍
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G02B6/10
• 分類號: G02B6/10;G02B6/12;G02B6/124;G02B6/136
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

1.一種電光器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括襯底，以及形成在所述襯底上的光波導；沿所述基底的厚度方向，所述基底上形成有貫穿所述襯底的第一開口槽，所述第一開口槽與所述光波導相對設置；所述第一開口槽內填充有空氣或低介電損耗材料，所述低介電損耗材料的介電損耗因子小于所述襯底的介電損耗因子。

2.根據權利要求1所述的電光器件，其特征在于，所述低介電損耗材料的介電損耗因子大于等于0，小于等于0.001。

3.根據權利要求1所述的電光器件，其特征在于，當所述襯底為硅襯底時，所述低介電損耗材料包括聚四氟乙烯或聚乙烯纖維。

4.根據權利要求1所述的電光器件，其特征在于，所述基底還包括形成在襯底上的包層；所述光波導形成在所述包層內。

5.根據權利要求1所述的電光器件，其特征在于，所述光器件還包括形成在所述襯底上的光柵或懸臂梁結構；所述光柵或所述懸臂梁結構設置所述光波導的一側，用于將光信號耦合至或耦合出所述光波導中。

6.根據權利要求1～5任一項所述的電光器件，其特征在于，所述第一開口槽的寬度大于或等于所述光波導的寬度。

7.根據權利要求1～5任一項所述的電光器件，其特征在于，所述電光器件還包括封裝基板或印刷電路板，所述封裝基板或所述印刷電路板形成在所述襯底背離所述光波導的一側；

或，

所述電光器件還包括封裝基板或所述印刷電路板，所述封裝基板或所述印刷電路板形成在所述襯底背離所述光波導的一側；

當所述第一開口槽內填充有空氣時，所述封裝基板或所述印刷電路板具有第二開口槽，所述第二開口槽和所述第一開口槽相對設置，所述第二開口槽的尺寸大于或等于所述第一開口槽的尺寸。

8.一種電光器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底包括襯底、以及形成在所述襯底上的光波導；

沿所述基底的厚度方向，形成貫穿所述襯底的第一開口槽；其中，所述第一開口槽與所述光波導相對設置；

在所述第一開口槽內填充空氣或低介電損耗材料；所述低介電損耗材料的微波損耗小于所述襯底的微波損耗。

9.根據權利要求8所述的電光器件的制造方法，其特征在于，在所述第一開口槽寬度大于第一閾值的情況下，所述沿所述基底的厚度方向，在所述基底上形成貫穿所述襯底的第一開口槽包括：

從所述襯底背離所述光波導的一側，沿所述基底的厚度方向，刻蝕所述襯底，形成貫穿所述襯底的第一開口槽。

10.根據權利要求8所述的電光器件的制造方法，其特征在于，在所述第一開口槽寬度大于第二閾值小于第一閾值的情況下，根據所述第一開口槽寬度、刻蝕寬深比以及所述襯底厚度，確定所述襯底的減薄量；

當所述襯底厚度與所述襯底的減薄量之差大于或等于目標閾值時，所述沿所述基底的厚度方向，在所述基底上形成貫穿所述襯底的第一開口槽包括：

從所述襯底背離所述光波導的一側，對所述襯底進行減薄處理；

從所述襯底背離所述光波導的一側，沿所述基底的厚度方向，刻蝕所述減薄處理后的襯底，形成貫穿所述襯底的第一開口槽。