[發明專利]發光二極管及制作方法

有效

• 申請號: 202011460321.1
• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN112582515B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 李慶;韋冬;于波;顧楊
• 申請（專利權）人: 蘇州芯聚半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 常偉

本發明提供一種發光二極管及制作方法，所述制作方法包括：S1、提供襯底；S2、在所述襯底上制備發光二極管，所述發光二極管包括依序疊置在所述襯底上的外延結構、歐姆接觸層和連接電極；S3、形成絕緣層于所述連接電極遠離所述襯底一側的表面上，蝕刻絕緣層形成第一開口，所述連接電極自所述第一開口中暴露出；S4、形成有機膠層于所述絕緣層遠離所述襯底一側的表面上，所述有機膠層部分接觸所述襯底的表面；S5、形成吸光層于所述有機膠層遠離所述襯底一側的表面上；以及S6、照射激光至所述襯底上，以使所述有機膠層與所述襯底分離，使得所述發光二極管從所述襯底上剝離。

技術領域

本發明屬于半導體技術領域，更具體地說，涉及一種發光二極管及其制備方法。

背景技術

近年來，主動發光的半導體微LED(Micro Light Emitting Diode，微LED)芯片作為微型顯示技術發展迅速，微LED芯片顯示技術應用的場景幾乎涵蓋了所有的顯示領域，例如商顯大屏、電視、手機、車載顯示、AR和VR等。特別是作為應用在AR和VR等領域微型顯示上的微LED芯片顯示技術相比其他顯示技術有著無可比擬的優勢，例如高亮度和高像素密度超出了其他微型顯示技術的理論極限。

現有的微LED芯片結構包括正裝、倒裝、垂直結構的薄膜型芯片。考慮到檢測、巨量轉移、修復的難易程度，目前，微LED芯片以倒裝結構為主。

如圖1和圖2所示，倒裝結構的微LED芯片形成在襯底1上，微LED芯片包括外延結構2、形成在外延結構2上的正電極3和負電極4，以及覆蓋在外延結構2外側的布拉格反射鏡(DBR)5，布拉格反射鏡(DBR)5例如為金屬膜層，常見材料為金屬銀或者金屬鋁。其中，布拉格反射鏡(DBR)5用于提高微LED芯片的正面出光效率和避免不同微LED芯片之間的光串擾。

目前，布拉格反射鏡(DBR)5要做到一定的反射率(大于80％)需要2μm以上的厚度，由于微LED芯片尺寸較小，因此，在具有布拉格反射鏡(DBR)5的微LED芯片制程普遍存在如下問題：1)布拉格反射鏡(DBR)5厚度較厚不易制備；2)布拉格反射鏡(DBR)5是采用電子束蒸發的方式蒸鍍在外延結構2的外側，在外延結構2的側壁處膜層覆蓋率差；3)布拉格反射鏡(DBR)5與襯底1附著后也不易做激光剝離。

發明內容

本發明的目的在于提供一種發光二極管及制作方法，用于克服現有的包括布拉格反射鏡的發光二極管不易與襯底激光剝離的問題。

為解決上述問題，本發明技術方案首先提供了一種發光二極管的制作方法，所述制作方法包括：S1、提供襯底；S2、在所述襯底上制備發光二極管，所述發光二極管包括依序疊置在所述襯底上的外延結構、歐姆接觸層和連接電極；S3、形成絕緣層于所述連接電極遠離所述襯底一側的表面上，蝕刻絕緣層形成第一開口，所述連接電極自所述第一開口中暴露出；S4、形成有機膠層于所述絕緣層遠離所述襯底一側的表面上，所述有機膠層部分接觸所述襯底的表面；S5、形成吸光層于所述有機膠層遠離所述襯底一側的表面上；以及S6、照射激光至所述襯底上，以使所述有機膠層與所述襯底分離，使得所述發光二極管從所述襯底上剝離。

作為可選的技術方案，所述S2中還包括：于所述襯底上形成外延結構，所述外延結構包括依序疊置在所述襯底上的N型氮化鎵層和P型氮化鎵層；蝕刻所述外延結構形成隔離槽，所述襯底自所述隔離槽中暴露出來；蝕刻所述P型氮化鎵層形成N型氮化鎵接觸表面；于所述P型氮化鎵層上形成歐姆接觸層；以及于所述歐姆接觸層上形成所述連接電極的P型電極，于所述N型氮化鎵接觸面上形成所述連接電極的N型電極；其中，所述P型電極遠離所述襯底的頂面與所述N型電極遠離所述襯底的頂面齊平。

作為可選的技術方案，所述S3還包括：所述絕緣層整面覆蓋于所述襯底的一側，蝕刻所述絕緣層形成多個所述第一開口，所述P型電極、所述N型電極以及所述襯底分別對應的第一開口中露出。

作為可選的技術方案，所述絕緣層為無機絕緣層，無機絕緣層為選自二氧化硅絕緣層、氮化硅絕緣層或者三氧化二鋁絕緣層。