[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011460321.1
• 申請(qǐng)日: 2020-12-11
• 公開（公告）號(hào): CN112582515B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李慶;韋冬;于波;顧楊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州芯聚半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/44
• 分類號(hào): H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 常偉

1.一種發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

S1、提供襯底；

S2、在所述襯底上制備發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括依序疊置在所述襯底上的外延結(jié)構(gòu)、歐姆接觸層和連接電極；

S3、形成絕緣層于所述連接電極遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的表面上，蝕刻絕緣層形成第一開口，所述連接電極自所述第一開口中暴露出；

S4、形成有機(jī)膠層于所述絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的表面上，所述有機(jī)膠層部分接觸所述襯底的表面；

S5、形成吸光層于所述有機(jī)膠層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的表面上；以及

S6、照射激光至所述襯底上，以使所述有機(jī)膠層與所述襯底分離，使得所述發(fā)光二極管從所述襯底上剝離；

其中，所述外延結(jié)構(gòu)包括隔離槽，部分所述襯底自所述隔離槽中露出，所述有機(jī)膠接觸自所述隔離槽中露出的部分所述襯底的表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述S2中還包括：

于所述襯底上形成外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)包括依序疊置在所述襯底上的N型氮化鎵層和P型氮化鎵層；

蝕刻所述外延結(jié)構(gòu)形成所述隔離槽，使得部分所述襯底自所述隔離槽中暴露出來(lái)；

蝕刻所述P型氮化鎵層形成N型氮化鎵接觸表面；

于所述P型氮化鎵層上形成歐姆接觸層；以及

于所述歐姆接觸層上形成所述連接電極的P型電極，于所述N型氮化鎵接觸面上形成所述連接電極的N型電極；

其中，所述P型電極遠(yuǎn)離所述襯底的頂面與所述N型電極遠(yuǎn)離所述襯底的頂面齊平。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述S3還包括：

所述絕緣層整面覆蓋于所述襯底的一側(cè)，蝕刻所述絕緣層形成多個(gè)所述第一開口，所述P型電極、所述N型電極以及所述襯底分別對(duì)應(yīng)的第一開口中露出。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述絕緣層為無(wú)機(jī)絕緣層，無(wú)機(jī)絕緣層為選自二氧化硅絕緣層、氮化硅絕緣層或者三氧化二鋁絕緣層。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述S4中還包括：

所述有機(jī)膠層整面覆蓋于所述襯底的一側(cè)；圖案化所述有機(jī)膠層形成多個(gè)第二開口，所述P型電極和所述N型電極分別自對(duì)應(yīng)的第二開口中露出。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述S5中還包括：

所述吸光層整面覆蓋于所述襯底的一側(cè)，圖案化所述吸光層形成多個(gè)第三開口，所述P型電極、所述N型電極和位于所述隔離槽中的部分有機(jī)膠層分別自對(duì)應(yīng)第三開口中露出。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述有機(jī)膠層為選自苯并環(huán)丁烯膜層或者聚酰亞胺膜層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述S1中還包括：于所述襯底上形成犧牲層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述S6中還包括：

提供輔助基板；

鍵合所述輔助基板和所述襯底；

照射激光至所述襯底一側(cè)，以使所述犧牲層熱解以及所述有機(jī)膠層與所述襯底分離，進(jìn)而所述發(fā)光二極管從所述襯底上剝離。

10.一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管為通過(guò)如權(quán)利要求1-9中任意一項(xiàng)所述的制作方法制得。