[發明專利]高壓DMOS晶體管

在審

• 申請號: 202011460085.3
• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN112993038A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: E·J·考尼;A·布蘭尼克;J·P·瑪史凱爾
• 申請（專利權）人: 亞德諾半導體國際無限責任公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉倜

1.LDMOS晶體管，包括：

漏極；

柵極；

源極；和

背柵；

其中所述LDMOS晶體管還包括隔離結構，所述隔離結構被配置為將包括所述LDMOS晶體管的漏極的第一區域與第二區域物理隔離，所述第二區域在使用中具有寄生雙極結型晶體管。

2.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其中所述LDMOS晶體管包括n溝道LDMOS晶體管，并且其中所述寄生雙極結型晶體管包括寄生NPN雙極結晶體管。

3.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其中所述LDMOS晶體管包括p溝道LDMOS晶體管，并且其中所述寄生雙極結型晶體管包括寄生PNP雙極結型晶體管。

4.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其中所述隔離結構是電介質溝槽。

5.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其中所述柵極在所述第二區域中包括氧化物上多晶硅結構。

6.根據權利要求2所述的LDMOS晶體管，其中所述背柵在所述第一區域中包括p摻雜結構，該p摻雜結構在使用中耦合到：所述第一區域中的氧化物上多晶硅結構、所述第一區域中的p摻雜基板以及所述第二區域中的p摻雜結構。

7.根據權利要求2所述的LDMOS晶體管，其中所述第二區域還包括源極，并且其中所述第一區域中的第一n摻雜阱耦合到所述第二區域中的第二n摻雜阱。

8.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其中所述源極耦合到所述背柵。

9.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其中所述第一區域還包括被配置為在使用中控制所述第一區域中的電荷分布的resurf結構。

10.根據權利要求9所述的LDMOS晶體管，其中所述resurf結構包括：

第一場板；和

第二場板，

其中所述第二場板位于所述第一場板上方，并且其中所述第二場板與所述第一場板平行，并且其中所述第二場板被配置為與所述第一場板耦合。

11.橫向n溝道LDMOS晶體管，包括：

漏極；

柵極；

源極；和

背柵；

其中所述LDMOS晶體管還包括:

在所述漏極和所述柵極之間橫向延伸的場氧化物區域；

在所述場氧化物區域的邊緣和所述源極之間橫向延伸的柵極氧化物區域；

p摻雜區域，被配置為在使用中減小寄生雙極晶體管的增益，所述p摻雜區域嵌入在所述源極和所述背柵下方的p阱區域中，其中所述p摻雜區域包括：掩埋的p摻雜層，與所述源極和所述背柵通過所述p阱區域的剩余部分隔離，并且其中所述掩埋的p摻雜層的邊緣被配置為與在所述場氧化物區域和所述柵極氧化物區域之間的過渡附近的柵極的邊緣對齊。

12.根據權利要求11所述的橫向n溝道LDMOS晶體管，其中所述p摻雜區域被配置為具有比所述p阱區域的剩余部分更高的摻雜劑濃度。

13.根據權利要求11所述的橫向n溝道LDMOS晶體管，

其中所述漏極包括n阱區域。

14.根據權利要求13所述的橫向n溝道LDMOS晶體管，其中所述n阱區域包括：

在p基板上的n摻雜的掩埋層；和

在所述n摻雜的掩埋層上的另外n摻雜區域。

15.根據權利要求14所述的橫向n溝道LDMOS晶體管，

其中所述p摻雜的掩埋層被配置為與所述漏極的n摻雜的掩埋層形成結。