[發明專利]一種硅基OLED顯示芯片接口的制作方法

在審

• 申請號: 202011457515.6
• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN112563442A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 孫浩;李牧詞;茆勝
• 申請（專利權）人: 深圳市智聯匯網絡系統企業（有限合伙）
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 上海洞鑒知識產權代理事務所(普通合伙) 31346
• 代理人: 劉少偉

本發明為涉及一種硅基OLED顯示芯片接口的制作方法，包括以下步驟：在硅基板上制備陽極像素陣列、以及PAD接口；在所述PAD接口上噴涂接口保護膜；所述噴涂方式為噴墨打印；通過真空蒸鍍工藝制備OLED有機發光結構；通過薄膜密封工藝制備所述OLED有機發光結構的保護層；在所述保護層外側貼蓋玻璃蓋片；通過激光轟擊所述PAD接口所在區域，并使得所述PAD接口完全暴露；經過測試封裝后，完成硅基OLED顯示芯片接口的制造。有益效果是：使用噴墨打印技術代替光刻工藝制備接口保護層后，徹底避免了金屬陽極被腐蝕和殘留物導致的器件電壓升高、電壓不穩定、亮度不均勻、像素污染、壽命大幅縮短等問題，提升了器件的性能和壽命。

技術領域

本發明涉及加熱裝置技術領域，尤其是涉及一種硅基OLED顯示芯片接口的制作方法。

背景技術

OLED即有機發光二極管OLED(Organic Light-Emitting Diode)，是一種利用多層有機薄膜結構產生電致發光的器件。OLED顯示技術具有全固態、自發光、對比度高、功耗低、色域廣、視角廣、響應速度塊、工作溫度范圍廣等一系列優點，被業界公認為是繼液晶顯示器(LCD)之后的第三代顯示技術，能極大地滿足消費者對顯示技術的新需求。

硅基OLED微型顯示器，是半導體技術和OLED顯示技術的結合，不但具備OLED顯示器的上述優點，同時還具備半導體芯片微型化和高度集成的優點。其尺寸一般在1英寸以內，像素密度可高達5000PPI以上，遠高于玻璃基板OLED顯示器，在快速發展的近眼顯示領域有廣闊的應用前景。

硅基OLED微型顯示器，通常包括具有驅動電路的硅基板和基板之上的OLED發光結構。在OLED結構中，OLED有機材料和陰極金屬材料都具有活性高、易氧化的特點，很容易與空氣中的水、氧反應，導致發光效率降低、電壓升高、壽命縮短、器件失效等問題。因此，必須采用薄膜密封工藝對OLED結構進行可靠的保護，使OLED結構與外界隔絕。硅基OLED器件的密封層由多層非晶態金屬氧化物制備，可實現了對水汽氧氣的高效阻隔，并且具備透光性好、針孔及裂紋少的優點。但是密封工藝后，硅基板上的Pad接口會被密封膜層覆蓋，導致無法進行后續的焊線工藝，并且密封膜層較為致密，難以通過非接觸手段去除，因此就需要在密封工藝前對Pad接口進行保護，以便后續容易去除Pad接口上的密封層。

現有的接口保護方法是：在制備好金屬陽極之后，采用光刻工藝，在PAD接口上制備一層光刻膠接口保護層；密封工藝中，密封膜層沉積在該層光刻膠上，而不是直接沉積Pad上；待器件制備完成之后，用激光束轟擊PAD區域，PAD表面的光刻膠吸收能量后形成急劇膨脹的等離子體，帶動光刻膠上的密封膜層一起被燒蝕，從而達到將PAD暴露的效果，見發明專利“有機發光顯示器接口清洗工藝”，專利號：ZL 200810233757X。

但是在保護PAD的光刻工藝中就會帶來一些問題，一是金屬陽極薄膜會在光刻顯影的過程中不耐堿性顯影液腐蝕，二是顯影工藝過程中，難以實現精確控制，顯影不充分會導致光刻膠殘留在陽極上，顯影過度則會導致金屬陽極被腐蝕。以上問題不但大大限制了金屬陽極材料的選擇，還容易在陽極像素上引入缺陷和殘留物，使得器件的性能和壽命受到影響。

發明內容

本發明提供一種硅基OLED顯示芯片接口的制作方法，以解決現有技術中的過濾/分離效果差，需要多次加工，操作復雜等問題。

本發明所解決的技術問題采用以下技術方案來實現：

一種硅基OLED顯示芯片接口的制作方法，包括以下步驟：

S01，在硅基板上制備陽極像素陣列、以及PAD接口；

S02，在所述PAD接口上噴涂接口保護膜；所述噴涂方式為噴墨打印；

S03，通過真空蒸鍍工藝制備OLED有機發光結構；

S04，通過薄膜密封工藝制備所述OLED有機發光結構的保護層；