[發明專利]一種硅基OLED顯示芯片接口的制作方法在審
| 申請號： | 202011457515.6 | 申請日： | 2020-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN112563442A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發明（設計）人： | 孫浩;李牧詞;茆勝 | 申請（專利權）人： | 深圳市智聯匯網絡系統企業（有限合伙） |
| 主分類號： | H01L51/56 | 分類號： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海洞鑒知識產權代理事務所(普通合伙) 31346 | 代理人： | 劉少偉 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 oled 顯示 芯片 接口 制作方法 | ||
1.一種硅基OLED顯示芯片接口的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
S01，在硅基板上制備陽極像素陣列、以及PAD接口；
S02，在所述PAD接口上噴涂接口保護膜；所述噴涂方式為噴墨打印；
S03，通過真空蒸鍍工藝制備OLED有機發光結構；
S04，通過薄膜密封工藝制備所述OLED有機發光結構的保護層；
S05，在所述保護層外側貼蓋玻璃蓋片；
S06，通過激光轟擊所述PAD接口所在區域，并使得所述PAD接口完全暴露；
S07，經過測試封裝后，完成硅基OLED顯示芯片接口的制造。
2.根據權利要求1所述的一種硅基OLED顯示芯片接口的制作方法，其特征在于，步驟S02中的保護膜的噴涂厚度為50nm-100nm。
3.根據權利要求1所述的一種硅基OLED顯示芯片接口的制作方法，其特征在于，步驟S02中的保護膜的噴涂材料為Alq3。
4.根據權利要求1所述的一種硅基OLED顯示芯片接口的制作方法，其特征在于，步驟S04中的保護層的至少為兩層，其中第一層材料為Al2O3，第二層材料為Parylene。
5.根據權利要求4所述的一種硅基OLED顯示芯片接口的制作方法，其特征在于，所述第一層的厚度為50nm-100nm。
6.根據權利要求4所述的一種硅基OLED顯示芯片接口的制作方法，其特征在于，所述第二層的厚度為500nm-700nm。
7.根據權利要求1所述的一種硅基OLED顯示芯片接口的制作方法，其特征在于，步驟S06中的所述的激光為248nm的KrF激光。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
