[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202011457499.0
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN112951822A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 宋晟埈;鄭賢廣;金昌洙;全燦熙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/08;H01L29/78
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;趙莎

一種半導體器件包括：襯底，所述襯底包括P阱區；柵電極，所述柵電極位于所述襯底上；以及第一區域和第二區域，所述第一區域和所述第二區域在與所述柵電極相鄰的相對側形成在所述襯底中，所述第一區域包括位于所述襯底中的第一N阱區以及位于所述第一N阱區中的第二N阱區、第一雜質區和第二雜質區，所述第二區域包括位于所述襯底中的第三雜質區和位于所述第三雜質區中的第四雜質區，所述第二N阱區的摻雜濃度大于所述第一N阱區的摻雜濃度，并且所述第二雜質區的摻雜濃度大于所述第二N阱區的摻雜濃度。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2020年4月28日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2020-0051163和于2019年12月10日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2019-0164000的優先權的權益，上述韓國專利申請的公開內容通過引用全部合并于此。

技術領域

本公開涉及靜電放電保護層和包括其的半導體器件。

背景技術

安裝靜電放電(ESD)保護器件來減小或防止由于靜電導致的產品破壞或劣化。當半導體集成電路與人體或機器接觸時，從人體或機器產生的靜電可能通過輸入/輸出焊盤經過外部引腳而排放到半導體器件中。因此，靜電電流可能流到半導體內部電路，從而潛在地顯著損壞半導體電路。

發明內容

示例實施例提供了一種靜電放電(ESD)保護器件和一種包括該ESD保護器件的半導體器件，該ESD保護器件可以使放電電流更均勻地分布以降低結部分的溫度，并且即使在較小的面積下也可以提供改善的靜電特性。

根據示例實施例，一種半導體存儲器件包括：襯底；隔離區域，所述隔離區域位于所述襯底中；靜電放電保護元件；內部集成電路，所述內部集成電路電連接到所述靜電放電保護元件；以及第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤和所述第二焊盤電連接到所述靜電放電保護元件和所述內部集成電路。所述靜電放電保護元件包括：P阱區，所述P阱區位于所述襯底中；柵電極，所述柵電極具有彼此相對的第一側表面和第二側表面，所述柵電極位于所述襯底上；柵極介電層，所述柵極介電層位于所述柵電極與所述襯底之間；第一區域，所述第一區域在所述襯底中與所述柵電極的所述第一側表面相鄰；以及第二區域，所述第二區域在所述襯底中與所述柵電極的所述第二側表面相鄰。所述第一區域和所述第二區域具有N型導電性。所述第一區域包括位于所述襯底中的第一N阱區、位于所述第一N阱區中的第二N阱區、在豎直方向上與所述第一N阱區中的所述第二N阱區交疊的第一雜質區以及位于所述第一雜質區中的第二雜質區。所述第二區域包括位于所述襯底中的第三雜質區和位于所述第三雜質區中的第四雜質區。所述豎直方向垂直于所述襯底的上表面。所述襯底的所述上表面與所述第二N阱區的下表面之間的距離大于所述襯底的所述上表面與所述隔離區域的下表面之間的距離。

根據示例實施例，一種半導體器件包括：襯底，所述襯底包括P阱區；柵電極，所述柵電極位于所述襯底上；以及第一區域和第二區域，所述第一區域和所述第二區域在與所述柵電極相鄰的相對側形成在所述襯底中。所述第一區域包括位于所述襯底中的第一N阱區以及位于所述第一N阱區中的第二N阱區、第一雜質區和第二雜質區。所述第二區域包括位于所述襯底中的第三雜質區和位于所述第三雜質區中的第四雜質區。所述第二N阱區的摻雜濃度大于所述第一N阱區的摻雜濃度。所述第二雜質區的摻雜濃度大于所述第二N阱區的摻雜濃度。