[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202011457499.0
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN112951822A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 宋晟埈;鄭賢廣;金昌洙;全燦熙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/08;H01L29/78
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;趙莎

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

襯底；

隔離區域，所述隔離區域位于所述襯底中；

靜電放電保護元件；

內部集成電路，所述內部集成電路電連接到所述靜電放電保護元件；以及

第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤和所述第二焊盤電連接到所述靜電放電保護元件和所述內部集成電路，

其中，所述靜電放電保護元件包括：

P阱區，所述P阱區位于所述襯底中；

柵電極，所述柵電極具有彼此相對的第一側表面和第二側表面，所述柵電極位于所述襯底上；

柵極介電層，所述柵極介電層位于所述柵電極與所述襯底之間；

第一區域，所述第一區域在所述襯底中與所述柵電極的所述第一側表面相鄰；以及

第二區域，所述第二區域在所述襯底中與所述柵電極的所述第二側表面相鄰，并且

其中，所述第一區域和所述第二區域具有N型導電性，

所述第一區域包括位于所述襯底中的第一N阱區、位于所述第一N阱區中的第二N阱區、在豎直方向上與所述第一N阱區中的所述第二N阱區交疊的第一雜質區以及位于所述第一雜質區中的第二雜質區，

所述第二區域包括位于所述襯底中的第三雜質區和位于所述第三雜質區中的第四雜質區，

所述豎直方向垂直于所述襯底的上表面，并且

所述襯底的所述上表面與所述第二N阱區的下表面之間的距離大于所述襯底的所述上表面與所述隔離區域的下表面之間的距離。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二雜質區的摻雜濃度大于所述第一雜質區的摻雜濃度和所述第二N阱區的摻雜濃度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二N阱區的摻雜濃度大于所述第一N阱區的摻雜濃度。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，當從上方觀察時，所述第二N阱區的與所述柵電極相鄰的一個側表面在水平方向上與所述柵電極的與所述第二N阱區相鄰的所述第一側表面間隔開第一距離，并且

所述水平方向平行于所述襯底的所述上表面。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第一距離小于1.5μm。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第一距離在0.1μm至0.3μm的范圍內。

7.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第一N阱區的寬度大于所述第二N阱區的寬度。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述襯底的所述上表面與所述第一N阱區的下表面之間的距離大于所述襯底的所述上表面與所述隔離區域的所述下表面之間的距離，并且

所述第一N阱區的一部分在所述豎直方向上與所述隔離區域交疊。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述靜電放電保護元件還包括：

第一寄生BJT，在所述第一寄生BJT中，所述第一N阱區用作集電極，所述P阱區用作基極，并且所述第二區域用作發射極；

第二寄生BJT，在所述第二寄生BJT中，所述第一雜質區用作集電極，所述P阱區用作基極，并且所述第二區域用作發射極；以及

第三寄生BJT，在所述第三寄生BJT中，所述第二N阱區用作集電極，所述P阱區用作基極，并且所述第二區域用作發射極。