[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法以及電子設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011457402.6 | 申請日: | 2020-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN112599697A | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何瑞亭;李曉康 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 何輝 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 以及 電子設(shè)備 | ||
本發(fā)明公開了一種顯示面板及其制作方法以及電子設(shè)備,該顯示面板包括基底;第一電極,設(shè)于部分所述基底上;所述第一電極與所述開關(guān)元件連接;第一像素定義層,設(shè)于所述第一電極以及部分所述基底上,所述第一像素定義層上設(shè)置有第一開口,所述第一開口用于將所述第一電極裸露在外;第二像素定義層,設(shè)于所述第一像素定義層上,所述第二像素定義層上設(shè)置有第二開口,所述第二開口靠近所述第一像素定義層側(cè)的寬度小于所述第一開口的寬度;反射層,設(shè)于所述第二開口的內(nèi)側(cè)壁上;所述反射層的厚度小于所述第一像素定義層的厚度。本發(fā)明的顯示面板及其制作方法以及電子設(shè)備,可以提高顯示面板的外量子效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種顯示面板及其制作方法以及電子設(shè)備。
背景技術(shù)
相較于液晶顯示面板,有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板可應(yīng)用于小尺寸面板,且具有輕薄、低功耗、高對比度、高色域、可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn),成為下一代顯示器的發(fā)展趨勢。
然而,現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板只能將垂直于發(fā)光層表面的光線透出,因此導(dǎo)致外量子效率較低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種顯示面板及其制作方法以及電子設(shè)備,可以提高顯示面板的外量子效率。
本發(fā)明提供一種顯示面板,包括:
基底,包括開關(guān)元件;
第一電極,設(shè)于部分所述基底上;所述第一電極與所述開關(guān)元件連接;
第一像素定義層,設(shè)于所述第一電極以及部分所述基底上,所述第一像素定義層上設(shè)置有第一開口,所述第一開口用于將所述第一電極裸露在外;
第二像素定義層,設(shè)于所述第一像素定義層上,所述第二像素定義層上設(shè)置有第二開口,所述第二開口的位置與所述第一開口的位置對應(yīng);且所述第二開口靠近所述第一像素定義層側(cè)的寬度小于所述第一開口的寬度;
反射層,包括第一子部,所述第一子部設(shè)于所述第二開口的內(nèi)側(cè)壁上;所述反射層的厚度小于所述第一像素定義層的厚度;
發(fā)光層,設(shè)于所述第一電極上;
功能層,設(shè)于所述發(fā)光層、所述反射層以及部分所述第二像素定義層上;
第二電極,設(shè)于所述功能層上。
本發(fā)明還提供一種電子設(shè)備,其包括上述顯示面板。
本發(fā)明還提供一種顯示面板的制作方法,其包括:
制作基底,所述基底包括開關(guān)元件;
在所述基底上制作第一電極;所述第一電極與所述開關(guān)元件連接;
在所述第一電極以及所述基底上依次制作第一像素定義層以及第二像素定義層;其中所述第一像素定義層上形成有第一開口和所述第二像素定義層上形成有第二開口;所述第一開口用于將所述第一電極裸露在外;所述第二開口的位置與所述第一開口的位置對應(yīng);其中所述第二開口靠近所述第一像素定義層側(cè)的寬度小于所述第一開口的寬度;
在所述第二開口的內(nèi)側(cè)壁上制作反射層;
在所述第一電極上制作發(fā)光層;
在所述發(fā)光層、所述反射層以及部分所述第二像素定義層上制作功能層;
在所述功能層上制作第二電極。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





